SQ2310ES-T1_GE3 vishay

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商品型号： SQ2310ES-T1_GE3

制造商： vishay

类别： 分立半导体产品, 晶体管 - FET，MOSFET - 单

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 485pF @ 10V

Vgs（最大值）： ±8V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 5A，4.5V

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装

供应商器件封装： TO-236

零件状态： 在售

FET 类型： N 沟道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）： 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8.5nC @ 4.5V