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IRF640NPBF
图片仅供参考,商品以实物为准。
IRF640NPBF
可替代
品牌:Infineon
封装规格:卷装
ECCN:
描述:
IC
IC
供应商:猎芯专营
商品类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
数据手册: 下载数据手册
额外关税:0.0000
内部编码:10112
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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 67nC @ 10V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160pF @ 25V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

介绍:

电子元器件IRF640NPBF由Infineon设计生产制造,在猎芯网品牌商城有售。您可选择下载中文资料等数据手册功能说明书,资料中有InfineonIRF640NPBF的详细使用方法及教程。

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