二极管配置:1 对共阳极
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V
电流 - 平均整流 (Io):1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3V @ 1A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):25V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A
电压 - 集射极击穿(最大值):20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V
电流 - 平均整流 (Io):1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 1A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V
容差:±5%
功率 - 最大值:1W
阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50nA @ 11V
二极管配置:1 对共阴极
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750mV @ 10A
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V
容差:±5%
功率 - 最大值:300mW
阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 1.5V
二极管配置:1 对共阴极
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
二极管类型:PIN - 1 对共阴极
电压 - 峰值反向(最大值):150V
电流 - 最大值:100mA
不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 20V,1MHz
不同 If、F 时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V
容差:±2%
功率 - 最大值:500mW
阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 56V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V
容差:-
功率 - 最大值:500mW
阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.2V
容差:±5%
功率 - 最大值:150mW
阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V
容差:±5%
功率 - 最大值:150mW
阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 2V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V