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rochester
二极管配置:1 对共阳极;二极管类型:肖特基;电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V;电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC);不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA;速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度;反向恢复时间 (trr):5ns;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V;工作温度 - 结:150°C(最大);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供应商器件封装:TO-236AB;
QTY:
批次:{"21+":1185000,"18+":12000}
5000+:
¥0.0953
$0.0119
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二极管类型:标准;电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125V;电流 - 平均整流 (Io):200mA;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15V @ 300mA;速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3nA @ 125V;不同 Vr、F 时电容:6pF @ 0V,1MHz;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80;供应商器件封装:SOD-80;工作温度 - 结:175°C(最大);
QTY:
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大陆5-9
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rochester
IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A;功率 - 最大值:160W;开关能量:160µJ(开),200µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:97nC;25°C 时 Td(开/关)值:15ns/65ns;测试条件:300V,20A,10 欧姆,15V;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3;供应商器件封装:TO-3P;
QTY:
批次:{"MI+":450,"18+":450}
5000+:
¥22.5142
$2.8062
1000+:
¥22.5367
$2.809
500+:
¥22.5591
$2.8119
300+:
¥22.5816
$2.8146
100+:
¥22.6042
$2.8174
50+:
¥22.6266
$2.8202
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rochester
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V;容差:±5%;功率 - 最大值:500mW;阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 5V;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA;工作温度:-55°C ~ 150°C;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOD-123;供应商器件封装:SOD-123;
QTY:
批次:{"06+":36000}
5000+:
¥0.0671
$0.0083
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香港5-9
 
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chip1stop
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A;电压 - 集射极击穿(最大值):20V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V;功率 - 最大值:1W;频率 - 跃迁:170MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;供应商器件封装:PW-MOLD;
QTY:
250+:
¥19.2424
$2.3984
50+:
¥21.5389
$2.6846
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rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 75A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 5V;Vgs(最大值):±16V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):230W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;
QTY:
批次:{"17+":2609}
5000+:
¥4.8981
$0.6105
1000+:
¥4.9031
$0.6111
500+:
¥4.9079
$0.6117
300+:
¥4.9128
$0.6124
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大陆6-11
香港5-9
 
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rochester
IGBT 类型:沟槽型场截止;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A;功率 - 最大值:189W;开关能量:750µJ(开),540µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:90nC;25°C 时 Td(开/关)值:57ns/109ns;测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):200ns;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
QTY:
批次:{"14+":1873}
5000+:
¥14.0929
$1.7565
1000+:
¥14.1069
$1.7583
500+:
¥14.121
$1.76
300+:
¥14.1351
$1.7619
100+:
¥14.1491
$1.7636
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mouser
二极管类型:标准;电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V;电流 - 平均整流 (Io):1A;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 1A;速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io);反向恢复时间 (trr):50ns;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V;不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz;安装类型:通孔;封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向;供应商器件封装:DO-204AL(DO-41);工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C;
QTY:
9000+:
¥1.5866
$0.1978
6000+:
¥1.7437
$0.2173
3000+:
¥1.7519
$0.2184
1000+:
¥1.9337
$0.241
500+:
¥2.5039
$0.3121
100+:
¥3.1816
$0.3966
10+:
¥4.2558
$0.5305
1+:
¥4.9582
$0.618
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大陆6-9
香港5-7
 
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future
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V;容差:±5%;功率 - 最大值:1W;阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50nA @ 11V;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1V @ 50mA;工作温度:200°C;安装类型:通孔;封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向;供应商器件封装:DO-41;
QTY:
150000+:
¥0.2157
$0.0269
100000+:
¥0.222
$0.0277
25000+:
¥0.2321
$0.0289
15000+:
¥0.2356
$0.0294
5000+:
¥0.2448
$0.0306
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大陆6-11
香港5-9
 
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tme
二极管配置:1 对共阴极;二极管类型:肖特基;电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V;电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750mV @ 10A;速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io);不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V;工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3;供应商器件封装:TO-220AB;
QTY:
37+:
¥8.0198
$0.9912
14+:
¥8.4972
$1.0502
10+:
¥9.9292
$1.2272
3+:
¥11.2658
$1.3924
1+:
¥12.4116
$1.534
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