全球电子供应链智慧平台

二极管配置：1 对共阳极

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：800mV @ 100mA

速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)：5ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：2µA @ 25V

工作温度 - 结：150°C（最大）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：TO-236AB

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：125V

电流 - 平均整流 (Io)：200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.15V @ 300mA

速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：3nA @ 125V

不同 Vr、F 时电容：6pF @ 0V，1MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供应商器件封装：SOD-80

工作温度 - 结：175°C（最大）

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200V

电流 - 平均整流 (Io)：1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3V @ 1A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)：150ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5µA @ 200V

不同 Vr、F 时电容：10pF @ 4V，1MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-214AC，SMA

供应商器件封装：DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，20A

功率 - 最大值：160W

开关能量：160µJ（开），200µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：97nC

25°C 时 Td（开/关）值：15ns/65ns

测试条件：300V，20A，10 欧姆，15V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 5.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：902pF @ 400V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：106W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-HSOF-8-2

封装/外壳：8-PowerSFN

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：7.5V

容差：±5%

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1µA @ 5V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作温度：-55°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOD-123

供应商器件封装：SOD-123

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，10V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：170MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装：PW-MOLD

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.1 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110nC @ 5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5080pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：230W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：189W

开关能量：750µJ（开），540µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：90nC

25°C 时 Td（开/关）值：57ns/109ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：200ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：42 欧姆 @ 200mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：37.5pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：27.2W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：MP-3A

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400V

电流 - 平均整流 (Io)：1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25V @ 1A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)：50ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5µA @ 400V

不同 Vr、F 时电容：15pF @ 4V，1MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向

供应商器件封装：DO-204AL（DO-41）

工作温度 - 结：-65°C ~ 150°C

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：63A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4373pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：200W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：16V

容差：±5%

功率 - 最大值：1W

阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50nA @ 11V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1V @ 50mA

工作温度：200°C

安装类型：通孔

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向

供应商器件封装：DO-41

二极管配置：1 对共阴极

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：45V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：750mV @ 10A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200µA @ 45V

工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：5.1V

容差：±5%

功率 - 最大值：300mW

阻抗（最大值）(Zzt)：80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：2µA @ 1.5V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1V @ 10mA

工作温度：-55°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：0201（0603 公制）

供应商器件封装：2-X3DFN（0.62x0.32）

二极管配置：1 对共阴极

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：800mV @ 100mA

速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)：5ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：2µA @ 25V

工作温度 - 结：125°C（最大）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：53.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2569pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerDI3333-8

封装/外壳：8-PowerVDFN

二极管类型：PIN - 1 对共阴极

电压 - 峰值反向（最大值）：150V

电流 - 最大值：100mA

不同 Vr、F 时电容：0.35pF @ 20V，1MHz

不同 If、F 时电阻：1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz

功率耗散（最大值）：250mW

工作温度：150°C（TJ）

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：75V

容差：±2%

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：250 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100nA @ 56V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5V @ 200mA

工作温度：-65°C ~ 175°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供应商器件封装：SOD-80 MiniMELF

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：3.6V

容差：-

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5µA @ 1V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5V @ 200mA

工作温度：-65°C ~ 175°C

安装类型：通孔

封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装：DO-35

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：2.2V

容差：±5%

功率 - 最大值：150mW

阻抗（最大值）(Zzt)：100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100µA @ 1V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：2-SMD，无引线

供应商器件封装：0603/SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：5.1V

容差：±5%

功率 - 最大值：150mW

阻抗（最大值）(Zzt)：17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5µA @ 2V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作温度：-65°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-523

供应商器件封装：SOT-523

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：535pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：85W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.9 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：59nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3195pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB