晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40V
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装型
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):300V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO)
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100V
电流 - 平均整流 (Io):3A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
安装类型:表面贴装型
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V
容差:±5%
功率 - 最大值:3W
阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V
容差:±7%
阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V
容差:±5%
功率 - 最大值:5W
阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms
工作温度:-65°C ~ 200°C
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40V
电流 - 平均整流 (Io):1A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
安装类型:表面贴装型
二极管配置:1 对共阴极
二极管类型:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
FET 类型:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V