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Nexperia

数据手册

二极管配置:1 对共阳极

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA

速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr):5ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V

工作温度 - 结:150°C(最大)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:TO-236AB

Fairchild

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125V

电流 - 平均整流 (Io):200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15V @ 300mA

速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3nA @ 125V

不同 Vr、F 时电容:6pF @ 0V,1MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供应商器件封装:SOD-80

工作温度 - 结:175°C(最大)

VISHAY

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V

电流 - 平均整流 (Io):1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3V @ 1A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr):150ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V

不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V,1MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-214AC,SMA

供应商器件封装:DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A

功率 - 最大值:160W

开关能量:160µJ(开),200µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:97nC

25°C 时 Td(开/关)值:15ns/65ns

测试条件:300V,20A,10 欧姆,15V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装:TO-3P

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 5.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):902pF @ 400V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):106W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-HSOF-8-2

封装/外壳:8-PowerSFN

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V

容差:±5%

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 5V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作温度:-55°C ~ 150°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOD-123

供应商器件封装:SOD-123

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,10V

功率 - 最大值:625mW

频率 - 跃迁:-

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

供应商器件封装:TO-92-3

Toshiba

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:170MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装:PW-MOLD

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):230W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A

功率 - 最大值:189W

开关能量:750µJ(开),540µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:90nC

25°C 时 Td(开/关)值:57ns/109ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):200ns

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

Renesas

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):42 欧姆 @ 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):37.5pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):27.2W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:MP-3A

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

VISHAY

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V

电流 - 平均整流 (Io):1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 1A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr):50ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V

不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装:DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4373pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):200W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

Nexperia

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V

容差:±5%

功率 - 最大值:1W

阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50nA @ 11V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1V @ 50mA

工作温度:200°C

安装类型:通孔

封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装:DO-41

二极管配置:1 对共阴极

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750mV @ 10A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V

工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V

容差:±5%

功率 - 最大值:300mW

阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 1.5V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1V @ 10mA

工作温度:-55°C ~ 150°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:0201(0603 公制)

供应商器件封装:2-X3DFN(0.62x0.32)

VISHAY

数据手册

二极管配置:1 对共阴极

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA

速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr):5ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V

工作温度 - 结:125°C(最大)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23

Diodes

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):53.1nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2569pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerDI3333-8

封装/外壳:8-PowerVDFN

Infineon

数据手册

二极管类型:PIN - 1 对共阴极

电压 - 峰值反向(最大值):150V

电流 - 最大值:100mA

不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 20V,1MHz

不同 If、F 时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz

功率耗散(最大值):250mW

工作温度:150°C(TJ)

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:PG-SOT323-3

VISHAY

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V

容差:±2%

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 56V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5V @ 200mA

工作温度:-65°C ~ 175°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供应商器件封装:SOD-80 MiniMELF

VISHAY

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V

容差:-

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5V @ 200mA

工作温度:-65°C ~ 175°C

安装类型:通孔

封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装:DO-35

Comchip

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.2V

容差:±5%

功率 - 最大值:150mW

阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作温度:-55°C ~ 125°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:2-SMD,无引线

供应商器件封装:0603/SOD-523F

Diodes

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V

容差:±5%

功率 - 最大值:150mW

阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 2V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作温度:-65°C ~ 150°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-523

供应商器件封装:SOT-523

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):500 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):16.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):535pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):85W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13.9 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):59nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3195pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):170W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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