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操作

功率 - 最大值:3.1W

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

功率 - 最大值:1W

ON

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

Toshiba

数据手册

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

功率 - 最大值:2W

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

功率 - 最大值:1.3W

MICROSEMI

数据手册

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V

电流 - 平均整流 (Io):12A

Infineon

数据手册

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

功率 - 最大值:1600W

MICROSEMI

数据手册

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75V

电流 - 平均整流 (Io):300mA

vishay

数据手册

电压 - 峰值反向(最大值):100V

电流 - 平均整流 (Io):8A

vishay

数据手册

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50V

vishay

数据手册

功率 - 最大值:1W

MICROSEMI

数据手册

功率 - 最大值:1W

DIODES

数据手册

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

vishay

数据手册

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V

电流 - 平均整流 (Io):1A

MICROSEMI

数据手册

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V

电流 - 平均整流 (Io):100A

MICROSEMI

数据手册

功率 - 最大值:5W

Skyworks

数据手册

电压 - 峰值反向(最大值):20V

Comchip

数据手册

电压 - 峰值反向(最大值):800V

电流 - 平均整流 (Io):25A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

Infineon

数据手册

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800V

电流 - 平均整流 (Io):4A

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100V

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