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操作
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ST(意法)

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V

电流 - 平均整流 (Io):1A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-214AC

供应商器件封装:SMA

工作温度 - 结:175°C(最大)

VISHAY(威世)

数据手册

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40V

速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度

不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V,1MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOD-123

供应商器件封装:SOD-123

工作温度 - 结:125°C(最大)

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):104 毫欧 @ 6A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 5V

Vgs(最大值):±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):440pF @ 25V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta),48W(Tj)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:85MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ON(安森美)

数据手册

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100V

电流 - 平均整流 (Io):3A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-214AB

供应商器件封装:SMC

工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C

ON(安森美)

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V

电流 - 平均整流 (Io):8A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-2

供应商器件封装:TO-220AC

工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-225AA

ON(安森美)

数据手册

二极管配置:1 对共阴极

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)

速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度

工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:90MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线

供应商器件封装:I-PAK

ON(安森美)

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V

容差:±5%

功率 - 最大值:3W

阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms

工作温度:-65°C ~ 150°C

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-214AA

供应商器件封装:SMB

ON(安森美)

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V

容差:±7%

阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V

容差:±5%

功率 - 最大值:5W

阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms

工作温度:-65°C ~ 200°C

安装类型:通孔

封装/外壳:T-18

供应商器件封装:轴向

ON(安森美)

数据手册

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40V

电流 - 平均整流 (Io):1A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:DO-214AA

供应商器件封装:SMB

工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C

ON(安森美)

数据手册

二极管配置:1 对共阴极

二极管类型:肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.3nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):33pF @ 5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363

Nexperia(安世)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):140pF @ 10V

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:MPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2350pF @ 6V

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TSMT3

封装/外壳:SC-96

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:UMT6

ON(安森美)

数据手册

二极管类型:标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V

电流 - 平均整流 (Io):15A

速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-2

供应商器件封装:TO-220AC

工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):57 毫欧 @ 3.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):710mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道互补型

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):19.1nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1060pF @ 20V

功率 - 最大值:1.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-252-4L

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