全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600V

电流 - 平均整流 (Io)：1A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-214AC

供应商器件封装：SMA

工作温度 - 结：175°C（最大）

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：40V

速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度

不同 Vr、F 时电容：2.2pF @ 0V，1MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOD-123

供应商器件封装：SOD-123

工作温度 - 结：125°C（最大）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 5V

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：440pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），48W（Tj）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）：250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 30mA，10V

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：85MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100V

电流 - 平均整流 (Io)：3A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-214AB

供应商器件封装：SMC

工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600V

电流 - 平均整流 (Io)：8A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-2

供应商器件封装：TO-220AC

工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-225AA

二极管配置：1 对共阴极

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：200mA（DC）

速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度

工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：90MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线

供应商器件封装：I-PAK

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：15V

容差：±5%

功率 - 最大值：3W

阻抗（最大值）(Zzt)：9 Ohms

工作温度：-65°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-214AA

供应商器件封装：SMB

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：5.6V

容差：±7%

阻抗（最大值）(Zzt)：40 Ohms

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：6.2V

容差：±5%

功率 - 最大值：5W

阻抗（最大值）(Zzt)：1 Ohms

工作温度：-65°C ~ 200°C

安装类型：通孔

封装/外壳：T-18

供应商器件封装：轴向

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：40V

电流 - 平均整流 (Io)：1A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：DO-214AA

供应商器件封装：SMB

工作温度 - 结：-65°C ~ 125°C

二极管配置：1 对共阴极

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：45V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：7.5A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.3nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：33pF @ 5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：140pF @ 10V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：MPT3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2350pF @ 6V

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TSMT3

封装/外壳：SC-96

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：UMT6

二极管类型：标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600V

电流 - 平均整流 (Io)：15A

速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-2

供应商器件封装：TO-220AC

工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：710mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19.1nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1060pF @ 20V

功率 - 最大值：1.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-252-4L