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分立半导体产品(116485)
晶闸管 - TRIAC(2104)晶闸管 - SCR - 模块(1693)晶闸管 - SCR(2105)晶闸管 - DIAC，SIDAC(197)晶体管 - 特殊用途(113)晶体管 - 可编程单结(12)晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置(1261)晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列(1042)晶体管 - 双极（BJT）- 射频(1076)晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置(2569)晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个(8088)晶体管 - UGBT、MOSFET - 单(1673)晶体管 - JFET(380)晶体管 - IGBT - 阵列(9)晶体管 - IGBT - 模块(942)晶体管 - FET，MOSFET - 阵列(2299)晶体管 - FET，MOSFET - 射频(1803)晶体管 - FET，MOSFET - 单个(19002)功率驱动器模块(440)二极管 - 齐纳 - 阵列(1034)二极管 - 齐纳 - 单(33369)二极管 - 桥式整流器(3653)二极管 - 整流器 - 阵列(8216)二极管 - 整流器 - 单(21816)二极管 - 射频(1080)二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）(509)
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BAT54A,215
rochester
二极管配置:1 对共阳极;二极管类型:肖特基;电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30V;电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:200mA（DC）;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA;速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度;反向恢复时间 (trr):5ns;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V;工作温度 - 结:150°C（最大）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:TO-236AB;
QTY：
批次：{"21+":1185000,"18+":12000}
5000+：
￥0.0953
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FDLL333
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二极管类型:标准;电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:125V;电流 - 平均整流 (Io):200mA;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15V @ 300mA;速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3nA @ 125V;不同 Vr、F 时电容:6pF @ 0V，1MHz;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80;供应商器件封装:SOD-80;工作温度 - 结:175°C（最大）;
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SGH40N60UFTU
rochester
IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，20A;功率 - 最大值:160W;开关能量:160µJ（开），200µJ（关）;输入类型:标准;栅极电荷:97nC;25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns;测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3;供应商器件封装:TO-3P;
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批次：{"MI+":450,"18+":450}
5000+：
￥22.5142
$2.8062
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￥22.5367
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MMSZ7V5T1
rochester
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):7.5V;容差:±5%;功率 - 最大值:500mW;阻抗（最大值）(Zzt):15 Ohms;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 5V;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA;工作温度:-55°C ~ 150°C;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOD-123;供应商器件封装:SOD-123;
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批次：{"06+":36000}
5000+：
￥0.0671
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2SA1242-Y(Q)
chip1stop
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5A;电压 - 集射极击穿（最大值）:20V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 100mA，4A;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:160 @ 500mA，2V;功率 - 最大值:1W;频率 - 跃迁:170MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63;供应商器件封装:PW-MOLD;
QTY：
250+：
￥19.2424
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50+：
￥21.5389
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IRL1404ZSPBF
rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 75A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:110nC @ 5V;Vgs（最大值）:±16V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5080pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:230W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK;封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB;
QTY：
批次：{"17+":2609}
5000+：
￥4.8981
$0.6105
1000+：
￥4.9031
$0.6111
500+：
￥4.9079
$0.6117
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￥4.9128
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NGTB30N60SWG
rochester
IGBT 类型:沟槽型场截止;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A;功率 - 最大值:189W;开关能量:750µJ（开），540µJ（关）;输入类型:标准;栅极电荷:90nC;25°C 时 Td（开/关）值:57ns/109ns;测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V;反向恢复时间 (trr):200ns;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
QTY：
批次：{"14+":1873}
5000+：
￥14.0929
$1.7565
1000+：
￥14.1069
$1.7583
500+：
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$1.76
300+：
￥14.1351
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￥14.1491
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EGP10G-E3/73
mouser
二极管类型:标准;电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400V;电流 - 平均整流 (Io):1A;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 1A;速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）;反向恢复时间 (trr):50ns;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V;不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz;安装类型:通孔;封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向;供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）;工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C;
QTY：
9000+：
￥1.5866
$0.1978
6000+：
￥1.7437
$0.2173
3000+：
￥1.7519
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1000+：
￥1.9337
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500+：
￥2.5039
$0.3121
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￥3.1816
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￥4.2558
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BZV85-C16,133
future
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):16V;容差:±5%;功率 - 最大值:1W;阻抗（最大值）(Zzt):15 Ohms;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50nA @ 11V;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1V @ 50mA;工作温度:200°C;安装类型:通孔;封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向;供应商器件封装:DO-41;
QTY：
150000+：
￥0.2157
$0.0269
100000+：
￥0.222
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￥0.2321
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15000+：
￥0.2356
$0.0294
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￥0.2448
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DSA20C45PB
tme
二极管配置:1 对共阴极;二极管类型:肖特基;电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:45V;电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A;不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750mV @ 10A;速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）;不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V;工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3;供应商器件封装:TO-220AB;
QTY：
37+：
￥8.0198
$0.9912
14+：
￥8.4972
$1.0502
10+：
￥9.9292
$1.2272
3+：
￥11.2658
$1.3924
1+：
￥12.4116
$1.534
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