分立半导体产品-二极管 - 射频-元器件大全网站

BAR6402LRHE6327XTSA1

rochester

二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:150V;电流 - 最大值:100mA;不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 20V，1MHz;不同 If、F 时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz;功率耗散（最大值）:250mW;工作温度:150°C（TJ）;封装/外壳:SOD-882;供应商器件封装:PG-TSLP-2-7;

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批次：{"12+":12000,"14+":15000}

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MA4P303-134

mouser

二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:200V;不同 Vr、F 时电容:0.15pF @ 10V，10MHz;不同 If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，500MHz;工作温度:175°C（TJ）;封装/外壳:模具;供应商器件封装:模具;

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MADP-011048-TR3000

digikey

二极管类型:PIN - 防并联;电压 - 峰值反向（最大值）:80V;电流 - 最大值:3.75A;不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，100MHz;不同 If、F 时电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz;功率耗散（最大值）:4.7W;工作温度:175°C（TJ）;封装/外壳:8-LQFN 裸露焊盘;供应商器件封装:8-HQFN（4x4）;

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MA4P7470F-1072T

digikey

二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:800V;电流 - 最大值:150mA;不同 Vr、F 时电容:0.7pF @ 100V，100MHz;不同 If、F 时电阻:800 毫欧 @ 100mA，100MHz;功率耗散（最大值）:4W;工作温度:175°C（TJ）;封装/外壳:2-SMD;供应商器件封装:-;

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BAR6406WH6327XTSA1

rochester

二极管类型:PIN - 1 对共阳极;电压 - 峰值反向（最大值）:150V;电流 - 最大值:100mA;不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 20V，1MHz;不同 If、F 时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz;功率耗散（最大值）:250mW;工作温度:150°C（TJ）;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:PG-SOT323-3;

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批次：{"15+":486000,"18+":30000,"14+":6000}

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MPN3404G

rochester

二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:20V;不同 Vr、F 时电容:2pF @ 15V，1MHz;不同 If、F 时电阻:850 毫欧 @ 10mA，100MHz;功率耗散（最大值）:400mW;工作温度:125°C（TJ）;封装/外壳:TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）;供应商器件封装:TO-92;

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MA4P1200NM-401T

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二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:100V;不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 50V，1MHz;不同 If、F 时电阻:750 毫欧 @ 50mA，100MHz;功率耗散（最大值）:1.5W;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;封装/外壳:轴向;供应商器件封装:轴向;

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MADP-011027-14150T

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二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:100V;电流 - 最大值:250mA;不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V，1MHz;不同 If、F 时电阻:2.6 欧姆 @ 10mA，1GHz;功率耗散（最大值）:3.3W;工作温度:175°C（TJ）;封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘;供应商器件封装:6-TDFN（1.5x1.2）;

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MMBD770T1G

rochester

二极管类型:肖特基 - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:70V;电流 - 最大值:200mA;不同 Vr、F 时电容:1pF @ 20V，1MHz;不同 If、F 时电阻:-;功率耗散（最大值）:120mW;工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:SC-70-3（SOT323）;

QTY：

批次：{"06+":14530,"08+":30000,"09+":6000,"10+":89825,"16+":7900,"14+":39000,"21+":3000}

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SMP1330-085LF

mouser

二极管类型:PIN - 单;电压 - 峰值反向（最大值）:50V;电流 - 最大值:200mA;不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz;不同 If、F 时电阻:2 欧姆 @ 10mA，100MHz;功率耗散（最大值）:3W;工作温度:175°C（TJ）;封装/外壳:2-VDFN 裸露焊盘;供应商器件封装:3-QFN（2x2）;

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