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FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15.4 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3000pF @ 10V

功率耗散(最大值):650mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-SOP

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):185 毫欧 @ 1.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):19nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):420pF @ 25V

功率耗散(最大值):2.8W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4

DIODES

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):75pF @ 25V

功率耗散(最大值):700mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3

FAIRCHILD

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 38A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):360nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14365pF @ 100V

功率耗散(最大值):595W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1330pF @ 20V

功率耗散(最大值):3.7W(Ta),52W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

ALPHA & OMEGA

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1190pF @ 50V

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),50W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

DIODES

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 9.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47.5nC @ 5V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4234pF @ 20V

功率耗散(最大值):3.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-252

封装/外壳:TO-252-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):190 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):530pF @ 25V

功率耗散(最大值):15W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:CPT3

封装/外壳:TO-252-3

ALPHA & OMEGA

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):320pF @ 10V

功率耗散(最大值):350mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SC-70-6

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):117nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8115pF @ 50V

功率耗散(最大值):250W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):39 毫欧 @ 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):920pF @ 15V

功率耗散(最大值):600mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:6-UDFN(1.6x1.6)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.4 毫欧 @ 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 25V

功率耗散(最大值):800mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):182nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500pF @ 25V

功率耗散(最大值):300W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):525V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 欧姆 @ 1.25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):334pF @ 100V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):137nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9997pF @ 30V

功率耗散(最大值):306W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):880pF @ 25V

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),68W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 4.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):281pF @ 15V

功率耗散(最大值):500mW(Ta), 5W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-236AB

封装/外壳:TO-236-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):1050V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 欧姆 @ 600mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):13nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):180pF @ 100V

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.3 毫欧 @ 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):240nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6450pF @ 25V

功率耗散(最大值):300W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

vishay

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A(Ta),52A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):28nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1979pF @ 15V

功率耗散(最大值):850mW(Ta),29.8W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):270 毫欧 @ 8.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):119nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2600pF @ 25V

功率耗散(最大值):190W(Tc)

工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4100pF @ 100V

功率耗散(最大值):360W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

封装/外壳:TO-247-3

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.8 毫欧 @ 38A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4170pF @ 15V

功率耗散(最大值):140W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 5A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 5V

Vgs(最大值):±13V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400pF @ 25V

功率耗散(最大值):1.8W(Ta),8.3W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4

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