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Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.9 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):36.1nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2419pF @ 15V

功率耗散(最大值):91W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:LFPAK33

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):67 毫欧 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):270pF @ 10V

功率耗散(最大值):800mW(Ta)

工作温度:150°C

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TUMT3

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):400V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):526pF @ 100V

功率耗散(最大值):147W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):29nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1055pF @ 100V

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3

Nexperia

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 4.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1820pF @ 10V

功率耗散(最大值):490mW(Ta), 4.15W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-236AB

封装/外壳:TO-236-3

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.7 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):71nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3200pF @ 20V

功率耗散(最大值):5.2W(Ta),69W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):97nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5708pF @ 25V

功率耗散(最大值):203W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3

Nexperia

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):105nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6380pF @ 12V

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳:SOT-1023

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.4nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6.2pF @ 10V

功率耗散(最大值):150mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:3-MCP

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 2.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):340pF @ 25V

功率耗散(最大值):1.8W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-SOT223-4

封装/外壳:TO-261-4

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 940mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):175pF @ 500V

功率耗散(最大值):6W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-SOT223

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 2.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 140µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):460pF @ 500V

功率耗散(最大值):51W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TO252-3

封装/外壳:TO-252-3

Taiwan Semiconductor Corporation

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):48 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):22.4nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1250pF @ 30V

功率耗散(最大值):66W(Tc)

工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-251(IPAK)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 85A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):258nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):20000pF @ 25V

功率耗散(最大值):890W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:底座安装

供应商器件封装:SOT-227B

DIODES

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):864pF @ 30V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):54nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2290pF @ 100V

功率耗散(最大值):3.6W(Ta),8.3W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-PQFN(5x6)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):82 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):81nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3410pF @ 400V

功率耗散(最大值):313W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D²PAK(TO-263)

封装/外壳:TO-263-3

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):165nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14780pF @ 25V

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerPAK® 8 x 8

IXYS

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):300 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1100pF @ 25V

功率耗散(最大值):180W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

ALPHA & OMEGA

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):55nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2550pF @ 20V

功率耗散(最大值):33W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220FL

FAIRCHILD

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V

功率耗散(最大值):300mW(Ta)

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

封装/外壳:TO-236-3

vishay

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400pF @ 15V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),31W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-PowerPak® ChipFet(3x1.9)

封装/外壳:8-PowerVDFN

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1960pF @ 25V

功率耗散(最大值):3W(Ta),136W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3

Infineon

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):75V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 110µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):63.4nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4400pF @ 37.5V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),156W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TDSON-8-7

vishay

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.9 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):74nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2440pF @ 40V

功率耗散(最大值):6.25W(Ta),104W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

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