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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):254 毫欧 @ 900mA, 4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V;Vgs(最大值):±12V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):81pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):342mW(Ta);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:SOT-323;封装/外壳:SC-70,SOT-323;