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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 10A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):35nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1525pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2.5W(Ta),4.45W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:8-SO;封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);
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50+:
¥10.2769
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):200V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):73 毫欧 @ 8A,0V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):208nC @ 5V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500pF @ 25V;FET 功能:耗尽模式;功率耗散(最大值):695W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:TO-247(IXTH);封装/外壳:TO-247-3;
QTY:
1020+:
¥95.363
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270+:
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 9A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):570pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单;封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6;
QTY:
45000+:
¥0.853
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3000+:
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Ta),45A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):900mW(Ta);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;
QTY:
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¥2.635
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):100V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta),42A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13.5 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):33.3nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1871pF @ 50V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;
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¥3.7995
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):150V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A(Ta),152A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):136nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6460pF @ 75V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2.1W(Ta),375W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:TO-263(D²Pak);封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;
QTY:
18+:
¥16.708
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7+:
¥17.6627
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):254 毫欧 @ 900mA, 4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V;Vgs(最大值):±12V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):81pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):342mW(Ta);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:SOT-323;封装/外壳:SC-70,SOT-323;
QTY:
9000+:
¥0.4132
$0.0515
6000+:
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$0.0577
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10+:
¥2.2725
$0.2833
1+:
¥3.0576
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.4 毫欧 @ 100A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):225nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7437pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):231W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK(7-Lead);封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;
QTY:
800+:
¥8.7898
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.4 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1730pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):96W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:I2PAK;封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;
QTY:
批次:{"17+":5933,"19+":4000}
5000+:
¥2.6055
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):600V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A(Ta);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):820 毫欧 @ 3.1A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V;Vgs(最大值):±30V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):390pF @ 300V;FET 功能:超级结;功率耗散(最大值):60W(Tc);工作温度:150°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:I-PAK;封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak;
QTY:
10+:
¥6.4063
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¥10.1359
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