FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:35nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），4.45W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:8-SO;封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:200V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:73 毫欧 @ 8A，0V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:208nC @ 5V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500pF @ 25V;FET 功能:耗尽模式;功率耗散（最大值）:695W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;供应商器件封装:TO-247（IXTH）;封装/外壳:TO-247-3;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:17nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），19W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单;封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），45A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:42nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:900mW（Ta）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:100V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），42A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 20A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:33.3nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871pF @ 50V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:150V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta），152A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:136nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6460pF @ 75V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），375W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:TO-263（D²Pak）;封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:254 毫欧 @ 900mA, 4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:1.65nC @ 4.5V;Vgs（最大值）:±12V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:81pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:342mW（Ta）;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:SOT-323;封装/外壳:SC-70，SOT-323;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 100A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 150µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:225nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7437pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:231W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）;封装/外壳:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 20A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:24nC @ 10V;Vgs（最大值）:±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1730pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散（最大值）:96W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:通孔;供应商器件封装:I2PAK;封装/外壳:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA;

FET 类型:N 通道;技术:MOSFET（金属氧化物）;漏源电压（Vdss）:600V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）;驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:820 毫欧 @ 3.1A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 310µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:12nC @ 10V;Vgs（最大值）:±30V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390pF @ 300V;FET 功能:超级结;功率耗散（最大值）:60W（Tc）;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:通孔;供应商器件封装:I-PAK;封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak;