rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 75A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 5V;Vgs(最大值):±16V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):230W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;