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ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):104 毫欧 @ 6A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 5V

Vgs(最大值):±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):440pF @ 25V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta),48W(Tj)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):140pF @ 10V

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:MPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2350pF @ 6V

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TSMT3

封装/外壳:SC-96

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):57 毫欧 @ 3.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):710mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V

功率耗散(最大值):200mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-323

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.7nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):330pF @ 40V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-89-3

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):.6nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):30pF @ 25V

功率耗散(最大值):350mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-236

封装/外壳:TO-236-3

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):498pF @ 15V

功率耗散(最大值):1.8W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.4 欧姆 @ 250mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):15pF @ 25V

功率耗散(最大值):200mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SST3

封装/外壳:TO-236-3

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):155 毫欧 @ 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2.8nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):182pF @ 25V

功率耗散(最大值):900mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):400V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 欧姆 @ 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):38nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):700pF @ 25V

功率耗散(最大值):74W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):97A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.6 毫欧 @ 58A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):116nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4476pF @ 50V

功率耗散(最大值):221W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):185mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.7nC @ 15V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):23pF @ 25V

功率耗散(最大值):350mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

Texas intruments(德州仪器)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V,8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1190 毫欧 @ 100mA, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):.281nC @ 10V

Vgs(最大值):10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10.5pF @ 10V

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:3-PICOSTAR

FET 类型:N 通道

技术:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 1A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 800µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.15nC @ 5V

Vgs(最大值):+6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):115pF @ 30V

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:模具

ST(意法)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):1500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9 欧姆 @ 1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):29.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):939pF @ 25V

功率耗散(最大值):140W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.7 毫欧 @ 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1160pF @ 15V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-PQFN(5x6)

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 23A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1900pF @ 25V

功率耗散(最大值):160W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247AC

封装/外壳:TO-247-3

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.8 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):49nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3779pF @ 50V

功率耗散(最大值):143W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:D-Pak

封装/外壳:TO-252-3

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80 毫欧 @ 3.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):6nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):200pF @ 10V

功率耗散(最大值):1.25W(Tj)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17.2nC @ 10V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):676pF @ 15V

功率耗散(最大值):760mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23

封装/外壳:TO-236-3

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 5.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):38nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):950pF @ 25V

功率耗散(最大值):1.56W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):220 毫欧 @ 750mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.5nC @ 4V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):225pF @ 5V

功率耗散(最大值):400mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5 欧姆 @ 240mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):.81nC @ 5V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):40pF @ 25V

功率耗散(最大值):300mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.3 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1770pF @ 25V

功率耗散(最大值):56W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220F

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