全球电子供应链智慧平台

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：36.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2419pF @ 15V

功率耗散（最大值）：91W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK33

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：270pF @ 10V

功率耗散（最大值）：800mW（Ta）

工作温度：150°C

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TUMT3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：400V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：526pF @ 100V

功率耗散（最大值）：147W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1055pF @ 100V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1820pF @ 10V

功率耗散（最大值）：490mW（Ta）, 4.15W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：71nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200pF @ 20V

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），69W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：97nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5708pF @ 25V

功率耗散（最大值）：203W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：105nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6380pF @ 12V

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SOT-1023

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6.2pF @ 10V

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：3-MCP

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 2.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：340pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-SOT223-4

封装/外壳：TO-261-4

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 940mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：175pF @ 500V

功率耗散（最大值）：6W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-SOT223

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：750 毫欧 @ 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 140µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：460pF @ 500V

功率耗散（最大值）：51W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1250pF @ 30V

功率耗散（最大值）：66W（Tc）

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-251（IPAK）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：138A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 85A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：258nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：20000pF @ 25V

功率耗散（最大值）：890W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

供应商器件封装：SOT-227B

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：864pF @ 30V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：54nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2290pF @ 100V

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），8.3W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：82 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：81nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3410pF @ 400V

功率耗散（最大值）：313W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D²PAK（TO-263）

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：165nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14780pF @ 25V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK® 8 x 8

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 25V

功率耗散（最大值）：180W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2550pF @ 20V

功率耗散（最大值）：33W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220FL

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300mW（Ta）

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-PowerPak® ChipFet（3x1.9）

封装/外壳：8-PowerVDFN

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），136W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 110µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：63.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4400pF @ 37.5V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），156W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TDSON-8-7

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.9 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：74nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2440pF @ 40V

功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），104W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8