FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):185mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V,8V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V