全球电子供应链智慧平台

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 5V

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：440pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），48W（Tj）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：140pF @ 10V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：MPT3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2350pF @ 6V

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TSMT3

封装/外壳：SC-96

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：710mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 220mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 10V

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-323

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：330pF @ 40V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-89-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：30pF @ 25V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-236

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：498pF @ 15V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 欧姆 @ 250mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：15pF @ 25V

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SST3

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：155 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：182pF @ 25V

功率耗散（最大值）：900mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：400V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 欧姆 @ 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：700pF @ 25V

功率耗散（最大值）：74W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：97A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.6 毫欧 @ 58A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：116nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4476pF @ 50V

功率耗散（最大值）：221W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：185mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.7nC @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：23pF @ 25V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1190 毫欧 @ 100mA， 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.35V @ 2.5µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：.281nC @ 10V

Vgs（最大值）：10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10.5pF @ 10V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：3-PICOSTAR

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 1A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 800µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.15nC @ 5V

Vgs（最大值）：+6V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：115pF @ 30V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：模具

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 1.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：939pF @ 25V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

封装/外壳：TO-247-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.7 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1160pF @ 15V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 23A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1900pF @ 25V

功率耗散（最大值）：160W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247AC

封装/外壳：TO-247-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：49nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3779pF @ 50V

功率耗散（最大值）：143W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D-Pak

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：200pF @ 10V

功率耗散（最大值）：1.25W（Tj）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：676pF @ 15V

功率耗散（最大值）：760mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 5.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：950pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：220 毫欧 @ 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.5nC @ 4V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：225pF @ 5V

功率耗散（最大值）：400mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：260mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 240mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：.81nC @ 5V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：40pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 欧姆 @ 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1770pF @ 25V

功率耗散（最大值）：56W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220F