FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):400V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 毫欧 @ 15A,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V