全球电子供应链智慧平台

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.4 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3000pF @ 10V

功率耗散（最大值）：650mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-SOP

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：185 毫欧 @ 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：75pF @ 25V

功率耗散（最大值）：700mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-92-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：360nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14365pF @ 100V

功率耗散（最大值）：595W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

封装/外壳：TO-247-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1330pF @ 20V

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），52W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1190pF @ 50V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 9.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：47.5nC @ 5V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4234pF @ 20V

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-252

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：530pF @ 25V

功率耗散（最大值）：15W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：CPT3

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：320pF @ 10V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SC-70-6

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 55A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：117nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8115pF @ 50V

功率耗散（最大值）：250W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：920pF @ 15V

功率耗散（最大值）：600mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：6-UDFN（1.6x1.6）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.4 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000pF @ 25V

功率耗散（最大值）：800mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：182nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5500pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：525V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 1.25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：334pF @ 100V

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9997pF @ 30V

功率耗散（最大值）：306W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25nC @ 5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：880pF @ 25V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），68W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 4.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：281pF @ 15V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）, 5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1050V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 欧姆 @ 600mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180pF @ 100V

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：240nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6450pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Ta），52A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：28nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1979pF @ 15V

功率耗散（最大值）：850mW（Ta），29.8W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：270 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：119nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600pF @ 25V

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100pF @ 100V

功率耗散（最大值）：360W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

封装/外壳：TO-247-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：47nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4170pF @ 15V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 5A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 5V

Vgs（最大值）：±13V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），8.3W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4