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rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 75A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 5V;Vgs(最大值):±16V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):230W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:D2PAK;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;
QTY:
批次:{"17+":2609}
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chip1stop
FET 类型:P 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):60V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):53.1nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2569pF @ 30V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):1W(Ta);工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;
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大陆8-12
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mouser
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):600V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 11A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):82nC @ 10V;Vgs(最大值):±30V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1757pF @ 100V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):35W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:TO-220 整包;封装/外壳:TO-220-3 整包;
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rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):75V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tj);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 25A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA;Vgs(最大值):±10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8840pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):230W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:TO-220AB;封装/外壳:TO-220-3;
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rochester
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.4 毫欧 @ 80A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):213nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7930pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):300W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:PG-TO220-3-1;封装/外壳:TO-220-3;
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mouser
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):200V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):73 毫欧 @ 8A,0V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):208nC @ 5V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500pF @ 25V;FET 功能:耗尽模式;功率耗散(最大值):695W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;供应商器件封装:TO-247(IXTH);封装/外壳:TO-247-3;
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10+:
¥133.1288
$16.2677
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¥144.8729
$17.7028
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 9A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):570pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单;封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6;
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digikey
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Ta),45A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):900mW(Ta);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;
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香港5-7
 
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digikey
FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):100V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta),42A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13.5 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):33.3nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1871pF @ 50V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc);工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:PowerDI3333-8;封装/外壳:8-PowerVDFN;
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FET 类型:N 通道;技术:MOSFET(金属氧化物);漏源电压(Vdss):150V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A(Ta),152A(Tc);驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):136nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6460pF @ 75V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2.1W(Ta),375W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;供应商器件封装:TO-263(D²Pak);封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;
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