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MMRF1005HR5

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晶体管类型:LDMOS;频率:1.3GHz;增益:22.7dB;电压 - 测试:50V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:100mA;功率 - 输出:250W;电压 - 额定:120V;封装/外壳:SOT-957A;供应商器件封装:NI-780H-2L;

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BLF2425M7LS250P,11

rochester

晶体管类型:LDMOS（双），共源;频率:2.45GHz;增益:15dB;电压 - 测试:28V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:20mA;功率 - 输出:250W;电压 - 额定:65V;封装/外壳:SOT539B;供应商器件封装:SOT539B;

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批次：{"18+":59}

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MRF7S19080HR3

rochester

晶体管类型:LDMOS;频率:1.99GHz;增益:18dB;电压 - 测试:28V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:750mA;功率 - 输出:24W;电压 - 额定:65V;封装/外壳:SOT-957A;供应商器件封装:NI-780H-2L;

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批次：{"MI+":341,"12+":65,"13+":250}

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BLS7G3135L-350P,11

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晶体管类型:LDMOS（双），共源;频率:3.5GHz;增益:10dB;电压 - 测试:32V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:200mA;功率 - 输出:320W;电压 - 额定:65V;封装/外壳:SOT539A;供应商器件封装:SOT539A;

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批次：{"14+":46}

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BF1102,115

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晶体管类型:N 通道双门;频率:800MHz;增益:-;电压 - 测试:5V;额定电流（安培）:40mA;噪声系数:2dB;电流 - 测试:15mA;功率 - 输出:-;电压 - 额定:7V;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:6-TSSOP;

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PD20015C

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晶体管类型:LDMOS;频率:2GHz;增益:11dB;电压 - 测试:13.6V;额定电流（安培）:7A;噪声系数:-;电流 - 测试:350mA;功率 - 输出:15W;电压 - 额定:40V;封装/外壳:M243;供应商器件封装:M243;

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BLC8G20LS-400AVY

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晶体管类型:LDMOS（双），共源;频率:1.81GHz ~ 1.88GHz;增益:15.5dB;电压 - 测试:32V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:800mA;功率 - 输出:85W;电压 - 额定:65V;封装/外壳:SOT-1258-3;供应商器件封装:SOT-1258-3;

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批次：{"17+":100}

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MWT-A973

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晶体管类型:MESFET;频率:500MHz ~ 18GHz;增益:6.5dB;电压 - 测试:3V;额定电流（安培）:120mA;噪声系数:1.8dB;电流 - 测试:30mA;功率 - 输出:24.5dBm;电压 - 额定:5V;封装/外壳:非标准型 SMD;供应商器件封装:73;

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MRF8HP21130HSR3

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晶体管类型:LDMOS（双）;频率:2.17GHz;增益:14dB;电压 - 测试:28V;额定电流（安培）:-;噪声系数:-;电流 - 测试:360mA;功率 - 输出:28W;电压 - 额定:65V;封装/外壳:NI-780S-4;供应商器件封装:NI-780S-4;

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J304

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晶体管类型:N 通道 JFET;频率:-;增益:-;额定电流（安培）:15mA;噪声系数:-;功率 - 输出:-;电压 - 额定:30V;封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）;供应商器件封装:TO-92-3;

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