全球电子供应链智慧平台

功率 - 最大值：3.1W

功率 - 最大值：2.5W

功率 - 最大值：1.6W

功率 - 最大值：1.4W

功率 - 最大值：1.2W

功率 - 最大值：2.4W

功率 - 最大值：2W

功率 - 最大值：2W

功率 - 最大值：35W

功率 - 最大值：1.15W

功率 - 最大值：2W

功率 - 最大值：2W

功率 - 最大值：1.7W

功率 - 最大值：1W

功率 - 最大值：1.6W

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 6.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 16V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"

供应商器件封装：8-TSSOP

功率 - 最大值：1.5W

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：193A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 120A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 6mA（标准）

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：378nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6300pF @ 1000V

功率 - 最大值：925W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

供应商器件封装：模块

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12.4nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：330pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

FET 类型：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 5A，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：460pF @ 10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：12-SIP

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V，20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A，1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：80pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-SMD

供应商器件封装：TUMT6

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），49A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.1 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：250 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：190pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 22µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3050pF @ 25V

功率 - 最大值：54W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8-4

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：505pF @ 20V

功率 - 最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SMD

供应商器件封装：SOT-28FL/VEC8