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FET 类型:2 N-通道(双);FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):60V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 3.3A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-;功率 - 最大值:2W;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);供应商器件封装:8-SOIC;
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FET 类型:N 和 P 沟道;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA,200mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.38nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):22.6pF @ 15V;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;
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mouser
FET 类型:2 N-通道(双);FET 功能:标准;漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta);不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.8nC @ 5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):600pF @ 10V;功率 - 最大值:1.4W(Ta);工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);供应商器件封装:8-SOP;
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FET 类型:2 个 P 沟道(双);FET 功能:标准;漏源电压(Vdss):20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):405pF @ 10V;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-23-6;供应商器件封装:SOT-23-6L;
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rochester
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏;FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动;漏源电压(Vdss):-;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25.4nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-;功率 - 最大值:1.6W;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:4-XBGA,4-FCBGA;供应商器件封装:EFCP1313-4CC-037;
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批次:{"15+":538171}
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FET 类型:2 个 P 沟道(双);FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 100mA,4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):-;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12pF @ 15V;功率 - 最大值:125mW;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;
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批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
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FET 类型:2 N-通道(双);FET 功能:碳化硅 (SiC);漏源电压(Vdss):1200V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tj);不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22.5 毫欧 @ 50A,15V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 20mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):124nC @ 15V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3680pF @ 800V;功率 - 最大值:20mW;工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ);安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:AG-EASY1BM-2;
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批次:{"20+":24}
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FET 类型:2 N-通道(双);FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 6A,10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):950pF @ 24V;功率 - 最大值:1.29W;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);供应商器件封装:8-SOIC;
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批次:{"04+":1250,"05+":64800,"MI+":2500}
5000+:
¥1.2735
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FET 类型:2 N-通道(双);FET 功能:标准;漏源电压(Vdss):40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Ta),27A(Tc);不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 7.5A, 10V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 20µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):6.3nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):325pF @ 25V;功率 - 最大值:3.1W(Ta),23W(Tc);工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-PowerTDFN;供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道);
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500+:
¥1.2045
$0.1502
250+:
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FET 类型:N 和 P 沟道;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA,640mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V;功率 - 最大值:530mW;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-563,SOT-666;供应商器件封装:SOT-563;
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24000+:
¥1.3056
$0.1627
3000+:
¥1.4461
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1000+:
¥1.5784
$0.1967
500+:
¥2.0494
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100+:
¥2.603
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10+:
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1+:
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