全球电子供应链智慧平台

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.3nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：33pF @ 5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19.1nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1060pF @ 20V

功率 - 最大值：1.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-252-4L

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V，20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A，1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：80pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-SMD

供应商器件封装：TUMT6

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.58A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1495pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"

供应商器件封装：8-TSSOP

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：SOT-363

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA，640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：60.67pF @ 16V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-563

供应商器件封装：SOT-563

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 100mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-563

供应商器件封装：SOT-563

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：324pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-23-6 细型

供应商器件封装：SuperSOT™-6

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-563

供应商器件封装：SOT-563

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：216 毫欧 @ 1.8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：3nC @ 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：95pF @ 10V

功率 - 最大值：3.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK® SC-75-6L 双

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.5A，7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16.1nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：767pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：324pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-23-6 细型

供应商器件封装：SuperSOT™-6

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：73 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：660pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 5.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：840pF @ 30V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 欧姆 @ 100mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.44nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：6-TSSOP

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：725mA，500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：83pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：6-TSSOP

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30.1nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2163pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK56D

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14.2nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1081pF @ 25V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK56D

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 欧姆 @ 100mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.43nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：6-TSSOP

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 15V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：6-TSSOP

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：375 毫欧 @ 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：46pF @ 20V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-TSSOP

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：33nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 P 沟道（双）共源

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：6-DSBGA

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17.8 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：36nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1330pF @ 30V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 5.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 10V

功率 - 最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"

供应商器件封装：8-SO