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ON(安森美)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.3nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):33pF @ 5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道互补型

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):19.1nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1060pF @ 20V

功率 - 最大值:1.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-252-4L

ROHM(罗姆)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):240 毫欧 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):80pF @ 10V

功率 - 最大值:1W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-SMD

供应商器件封装:TUMT6

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.58A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):16.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1495pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-TSSOP(0.173"

供应商器件封装:8-TSSOP

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:SOT-363

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA,640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-563

供应商器件封装:SOT-563

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-563

供应商器件封装:SOT-563

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):324pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-23-6 细型

供应商器件封装:SuperSOT™-6

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-563

供应商器件封装:SOT-563

VISHAY(威世)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):216 毫欧 @ 1.8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):3nC @ 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):95pF @ 10V

功率 - 最大值:3.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerPAK® SC-75-6L 双

DIODES(美台)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A,7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):16.1nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):767pF @ 10V

功率 - 最大值:2.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

ON(安森美)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A,2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):324pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-23-6 细型

供应商器件封装:SuperSOT™-6

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):73 毫欧 @ 2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):660pF @ 25V

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

VISHAY(威世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 5.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):840pF @ 30V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

Nexperia(安世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 欧姆 @ 100mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.44nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):13pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:6-TSSOP

Nexperia(安世)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):725mA,500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):83pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:6-TSSOP

Nexperia(安世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30.1nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2163pF @ 25V

功率 - 最大值:64W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:LFPAK56D

Nexperia(安世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):14.2nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1081pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:LFPAK56D

Nexperia(安世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 欧姆 @ 100mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.43nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):17pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:6-TSSOP

Nexperia(安世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 15V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:6-TSSOP

ON(安森美)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V,8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA,775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):375 毫欧 @ 630mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):3nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):46pF @ 20V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-TSSOP

供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):33nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):650pF @ 25V

功率 - 最大值:2.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

Texas intruments(德州仪器)

数据手册

FET 类型:2 P 沟道(双)共源

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):410pF @ 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:6-DSBGA

Infineon(英飞凌)

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17.8 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1330pF @ 30V

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

VISHAY(威世)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 5.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

功率 - 最大值:1.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

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