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功率 - 最大值:3.1W

DIODES

数据手册

功率 - 最大值:2.5W

功率 - 最大值:1.6W

vishay

数据手册

功率 - 最大值:1.4W

功率 - 最大值:1.2W

vishay

数据手册

功率 - 最大值:2.4W

功率 - 最大值:2W

Infineon

数据手册

功率 - 最大值:2W

vishay

数据手册

功率 - 最大值:35W

ALPHA & OMEGA

数据手册

功率 - 最大值:1.15W

Infineon

数据手册

功率 - 最大值:2W

Infineon

数据手册

功率 - 最大值:2W

ALPHA & OMEGA

数据手册

功率 - 最大值:1.7W

功率 - 最大值:1W

功率 - 最大值:1.6W

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 6.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):22nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400pF @ 16V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-TSSOP(0.173"

供应商器件封装:8-TSSOP

vishay

数据手册

功率 - 最大值:1.5W

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:碳化硅 (SiC)

漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):193A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 120A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 6mA(标准)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):378nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6300pF @ 1000V

功率 - 最大值:925W

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:底座安装

供应商器件封装:模块

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12.4nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):330pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

SANKEN

数据手册

FET 类型:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道(3 相桥式)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):140 毫欧 @ 5A,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):460pF @ 10V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:12-SIP

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):240 毫欧 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):80pF @ 10V

功率 - 最大值:1W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-SMD

供应商器件封装:TUMT6

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta),49A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.1 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):650pF @ 25V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

Infineon

数据手册

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):190pF @ 15V

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154"

供应商器件封装:8-SO

Infineon

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.2 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 22µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3050pF @ 25V

功率 - 最大值:54W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:PG-TDSON-8-4

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80 毫欧 @ 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):505pF @ 20V

功率 - 最大值:1W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SMD

供应商器件封装:SOT-28FL/VEC8

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