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SSD2025TF
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FET 类型:2 N-通道（双）;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压（Vdss）:60V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 3.3A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:30nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-;功率 - 最大值:2W;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）;供应商器件封装:8-SOIC;
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DMC31D5UDJ-7B
verical
FET 类型:N 和 P 沟道;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA，200mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:0.38nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.6pF @ 15V;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;
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SP8K3FRATB
mouser
FET 类型:2 N-通道（双）;FET 功能:标准;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:11.8nC @ 5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 10V;功率 - 最大值:1.4W（Ta）;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）;供应商器件封装:8-SOP;
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SIL2301-TP
digikey
FET 类型:2 个 P 沟道（双）;FET 功能:标准;漏源电压（Vdss）:20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405pF @ 10V;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-23-6;供应商器件封装:SOT-23-6L;
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EFC4618R-P-TR
rochester
FET 类型:2 N 沟道（双）共漏;FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动;漏源电压（Vdss）:-;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:25.4nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-;功率 - 最大值:1.6W;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:4-XBGA，4-FCBGA;供应商器件封装:EFCP1313-4CC-037;
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批次：{"15+":538171}
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NTUD3129PT5G
rochester
FET 类型:2 个 P 沟道（双）;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压（Vdss）:20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:-;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12pF @ 15V;功率 - 最大值:125mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;
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批次：{"07+":22847,"MI+":8000}
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DF11MR12W1M1B11BPSA1
rochester
FET 类型:2 N-通道（双）;FET 功能:碳化硅 （SiC）;漏源电压（Vdss）:1200V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tj）;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.55V @ 20mA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:124nC @ 15V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3680pF @ 800V;功率 - 最大值:20mW;工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:AG-EASY1BM-2;
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批次：{"20+":24}
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NTMD6N03R2
rochester
FET 类型:2 N-通道（双）;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压（Vdss）:30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:30nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 24V;功率 - 最大值:1.29W;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）;供应商器件封装:8-SOIC;
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批次：{"04+":1250,"05+":64800,"MI+":2500}
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NVMFD5C478NWFT1G
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FET 类型:2 N-通道（双）;FET 功能:标准;漏源电压（Vdss）:40V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta），27A（Tc）;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A， 10V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 20µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325pF @ 25V;功率 - 最大值:3.1W（Ta），23W（Tc）;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-PowerTDFN;供应商器件封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）;
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DMG1016VQ-7
mouser
FET 类型:N 和 P 沟道;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压（Vdss）:20V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA，640mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:0.74nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67pF @ 16V;功率 - 最大值:530mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-563，SOT-666;供应商器件封装:SOT-563;
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