全球电子供应链智慧平台

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：730pF @ 10V

功率 - 最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA，200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.38nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：22.6pF @ 15V

功率 - 最大值：350mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-963

供应商器件封装：SOT-963

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.8nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600pF @ 10V

功率 - 最大值：1.4W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：405pF @ 10V

功率 - 最大值：350mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-23-6L

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：87 毫欧 @ 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：435pF @ 15V

功率 - 最大值：700mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 6.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.5nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：520pF @ 15V

功率 - 最大值：680mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：-

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

功率 - 最大值：1.6W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：4-XBGA，4-FCBGA

供应商器件封装：EFCP1313-4CC-037

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

功率 - 最大值：7.8W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装：PowerPAK® SC-70-6 双

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：140mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12pF @ 15V

功率 - 最大值：125mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-963

供应商器件封装：SOT-963

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A，26A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：27nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1770pF @ 13V

功率 - 最大值：2.2W，2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：Power56

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：46 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：310pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-µDFN（2x2）

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：195 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：8nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

功率 - 最大值：1.3W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8 双

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：920pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN（2x2）

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源电压（Vdss）：1200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tj）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22.5 毫欧 @ 50A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：124nC @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3680pF @ 800V

功率 - 最大值：20mW

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：AG-EASY1BM-2

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：950pF @ 24V

功率 - 最大值：1.29W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），27A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 7.5A， 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：6.3nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：325pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W（Ta），23W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA，640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：60.67pF @ 16V

功率 - 最大值：530mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：SOT-563

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：460pF @ 15V

功率 - 最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.11A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：195 毫欧 @ 300mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：3.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：128.6pF @ 25V

功率 - 最大值：1.39W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：X2-DFN1310-6（B 类）

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：720pF @ 20V

功率 - 最大值：1.9W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerWDFN

供应商器件封装：8-Power33（3x3）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A，3.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：36nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：740pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-

功率 - 最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET™

FET 类型：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：21.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：660pF @ 10V

功率 - 最大值：490mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-HUSON-EP（2x2）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A，4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12.9nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：604pF @ 20V

功率 - 最大值：1.8W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO