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FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

Infineon

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):730pF @ 10V

功率 - 最大值:1.4W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:PG-DSO-8

Diodes

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA,200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.38nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):22.6pF @ 15V

功率 - 最大值:350mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-963

供应商器件封装:SOT-963

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.8nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):600pF @ 10V

功率 - 最大值:1.4W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):405pF @ 10V

功率 - 最大值:350mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-23-6

供应商器件封装:SOT-23-6L

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):87 毫欧 @ 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):435pF @ 15V

功率 - 最大值:700mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):9.5nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):520pF @ 15V

功率 - 最大值:680mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss):-

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):25.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:1.6W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:4-XBGA,4-FCBGA

供应商器件封装:EFCP1313-4CC-037

VISHAY

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):58 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:7.8W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 双

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12pF @ 15V

功率 - 最大值:125mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-963

供应商器件封装:SOT-963

FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A,26A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.6 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1770pF @ 13V

功率 - 最大值:2.2W,2.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:Power56

Toshiba

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):46 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):310pF @ 10V

功率 - 最大值:1W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-µDFN(2x2)

VISHAY

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:1.3W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8 双

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):10.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):920pF @ 15V

功率 - 最大值:500mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-UDFN(2x2)

Infineon

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:碳化硅 (SiC)

漏源电压(Vdss):1200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tj)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22.5 毫欧 @ 50A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):124nC @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3680pF @ 800V

功率 - 最大值:20mW

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:模块

供应商器件封装:AG-EASY1BM-2

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):950pF @ 24V

功率 - 最大值:1.29W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Ta),27A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):6.3nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):325pF @ 25V

功率 - 最大值:3.1W(Ta),23W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

Diodes

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA,640mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V

功率 - 最大值:530mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:SOT-563

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):460pF @ 15V

功率 - 最大值:900mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

Diodes

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.11A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):195 毫欧 @ 300mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):3.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):128.6pF @ 25V

功率 - 最大值:1.39W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:X2-DFN1310-6(B 类)

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):720pF @ 20V

功率 - 最大值:1.9W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerWDFN

供应商器件封装:8-Power33(3x3)

Infineon

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A,3.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):740pF @ 25V

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:1.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:ChipFET™

Nexperia

数据手册

FET 类型:2 N-通道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):21.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):660pF @ 10V

功率 - 最大值:490mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-HUSON-EP(2x2)

Diodes

数据手册

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A,4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):12.9nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):604pF @ 20V

功率 - 最大值:1.8W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

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