verical
FET 类型:N 和 P 沟道;FET 功能:逻辑电平门;漏源电压(Vdss):30V;25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA,200mA;不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V;不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA;不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.38nC @ 4.5V;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):22.6pF @ 15V;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;