FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA,200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):87 毫欧 @ 3.3A,10V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6.9A,10V
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss):-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):58 毫欧 @ 3A,4.5V
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 100mA,4.5V
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A,26A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.6 毫欧 @ 15A,10V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):46 毫欧 @ 2A,4.5V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 4A,4.5V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22.5 毫欧 @ 50A,15V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 6A,10V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Ta),27A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 7.5A, 10V
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):870mA,640mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.11A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):195 毫欧 @ 300mA,4.5V
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A,3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 3A,4.5V
FET 类型:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 3A,4.5V
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A,4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V