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FF225R17ME4B11BOSA1

chip1stop

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:2 个独立式;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:340A;功率 - 最大值:1500W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V, 225A;电流 - 集电极截止（最大值）:3mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):18.5nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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FS225R17KE4BOSA1

rochester

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:三相反相器;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:340A;功率 - 最大值:1500W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V, 225A;电流 - 集电极截止（最大值）:3mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):18.5nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"17+":1,"14+":1}

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DF1000R17IE4DB2BOSA1

rochester

IGBT 类型:-;配置:单路;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;功率 - 最大值:6250W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V, 1000A;电流 - 集电极截止（最大值）:5mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):81nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"18+":36,"21+":324}

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FP15R12W1T4PBPSA1

rochester

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:三相反相器;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A;功率 - 最大值:20mW;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.25V @ 15V, 15A;电流 - 集电极截止（最大值）:1mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):890pF @ 25V;输入:三相桥式整流器;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"19+":158,"20+":1392}

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FP35R12KT4PBPSA1

rochester

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:三相反相器;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A;功率 - 最大值:20mW;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，35A;电流 - 集电极截止（最大值）:1mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):2nF @ 25V;输入:三相桥式整流器;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"15+":4,"20+":7}

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FS150R12KT3BOSA1

rochester

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:三相反相器;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200A;功率 - 最大值:700W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，150A;电流 - 集电极截止（最大值）:5mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):10.5nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 125°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"18+":10,"20+":10,"17+":3,"19+":9,"21+":3}

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BSM75GB60DLCHOSA1

rochester

IGBT 类型:-;配置:单路;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A;功率 - 最大值:355W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，75A;电流 - 集电极截止（最大值）:500µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):3.3nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-40°C ~ 125°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"20+":10}

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MUBW20-06A7

digikey

IGBT 类型:NPT;配置:三相反相器，带制动器;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A;功率 - 最大值:125W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，20A;电流 - 集电极截止（最大值）:600µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):1.1nF @ 25V;输入:三相桥式整流器;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）;安装类型:底座安装;封装/外壳:E2;供应商器件封装:E2;

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FS450R17OE4BOSA1

rochester

IGBT 类型:沟槽型场截止;配置:全桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:630A;功率 - 最大值:2400W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V, 450A;电流 - 集电极截止（最大值）:3mA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):36nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:是;工作温度:-40°C ~ 150°C;安装类型:底座安装;封装/外壳:模块;供应商器件封装:模块;

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批次：{"17+":1,"19+":1,"20+":2}

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VS-CPV364M4KPBF

chip1stop

IGBT 类型:-;配置:三相反相器;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:24A;功率 - 最大值:63W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，24A;电流 - 集电极截止（最大值）:250µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):1.6nF @ 30V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:19-SIP（13 引线），IMS-2;供应商器件封装:IMS-2;

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￥390.9279

$48.2643

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