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IXA20PG1200DHGLB

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IGBT 类型:PT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:32A;功率 - 最大值:130W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A;电流 - 集电极截止（最大值）:125µA;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:9-SMD 模块;供应商器件封装:ISOPLUS-SMPD™.B;

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FII30-06D

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IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A;功率 - 最大值:100W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A;电流 - 集电极截止（最大值）:600µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):1.1nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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IXA40PG1200DHGLB

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IGBT 类型:PT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:63A;功率 - 最大值:230W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，35A;电流 - 集电极截止（最大值）:150µA;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:9-SMD 模块;供应商器件封装:ISOPLUS-SMPD™.B;

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FII24N17AH1

mouser

IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:18A;功率 - 最大值:140W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，16A;电流 - 集电极截止（最大值）:100µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):2.4nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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IXA40RG1200DHGLB-TRR

mouser

IGBT 类型:PT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:63A;功率 - 最大值:230W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，35A;电流 - 集电极截止（最大值）:150µA;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:9-SMD 模块;供应商器件封装:ISOPLUS-SMPD™.B;

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FII40-06D

mouser

IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:600V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A;功率 - 最大值:125W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，25A;电流 - 集电极截止（最大值）:600µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):1.6nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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FII24N17AH1S

mouser

IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:18A;功率 - 最大值:140W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，16A;电流 - 集电极截止（最大值）:100µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):2.4nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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FII30-12E

mouser

IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A;功率 - 最大值:150W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，20A;电流 - 集电极截止（最大值）:200µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):1.2nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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FII50-12E

digikey

IGBT 类型:NPT;配置:半桥;电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A;功率 - 最大值:200W;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A;电流 - 集电极截止（最大值）:400µA;不同 Vce 时输入电容 (Cies):2nF @ 25V;输入:标准;NTC 热敏电阻:无;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:i4-Pac™-5;供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™;

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