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IJW120R070T1FKSA1

rochester

FET 类型:N 通道;漏源电压（Vdss）:1200V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):3.3µA @ 1200V;漏极电流 (Id) - 最大值:35A;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000pF @ 19.5V（VGS）;电阻 - RDS(On):70 mOhms;功率 - 最大值:238W;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:PG-TO247-3;

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批次：{"16+":330}

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IJW120R100T1FKSA1

rochester

FET 类型:N 通道;漏源电压（Vdss）:1200V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):1.5µA @ 1200V;漏极电流 (Id) - 最大值:26A;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 19.5V（VGS）;电阻 - RDS(On):100 mOhms;功率 - 最大值:190W;工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:PG-TO247-3;

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2SK3320-BL(TE85L,F

mouser

FET 类型:N 通道;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):6mA @ 10V;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):200mV @ 100nA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13pF @ 10V;功率 - 最大值:200mW;工作温度:125°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353;供应商器件封装:USV;

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CMPFJ175 TR

digikey

FET 类型:P 通道;电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):7mA @ 15V;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3V @ 10nA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-;电阻 - RDS(On):125 Ohms;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23;

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2SK715U-AC

rochester

FET 类型:N 通道;漏源电压（Vdss）:15V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):7.3mA @ 5V;漏极电流 (Id) - 最大值:50mA;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):600mV @ 100µA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10pF @ 5V;功率 - 最大值:300mW;工作温度:125°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:SC-72;供应商器件封装:3-SPA;

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MMBF4393LT3G

digikey

FET 类型:N 通道;电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V;漏源电压（Vdss）:30V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):5mA @ 15V;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):500mV @ 10nA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14pF @ 15V;电阻 - RDS(On):100 Ohms;功率 - 最大值:225mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）;

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2SK715U

rochester

FET 类型:N 通道;漏源电压（Vdss）:15V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):7.3mA @ 5V;漏极电流 (Id) - 最大值:50mA;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):600mV @ 100µA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10pF @ 5V;功率 - 最大值:300mW;工作温度:125°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:SC-72;供应商器件封装:3-SPA;

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批次：{"16+":19911}

5000+：

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J175-D26Z

digikey

FET 类型:P 通道;电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):7mA @ 15V;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3V @ 10nA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-;电阻 - RDS(On):125 Ohms;功率 - 最大值:350mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）;供应商器件封装:TO-92-3;

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50000+：

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PF5102

element14

FET 类型:N 通道;电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):4mA @ 15V;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):700mV @ 1nA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16pF @ 15V;功率 - 最大值:625mW;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）;供应商器件封装:TO-92-3;

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大陆8-12

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TF208TH-4-TL-H

rochester

FET 类型:N 通道;不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):140µA @ 2V;漏极电流 (Id) - 最大值:1mA;不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):100mV @ 1µA;不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5pF @ 2V;功率 - 最大值:100mW;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:3-SMD，扁平引线;供应商器件封装:VTFP;

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