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IGBT 类型:沟槽型场截止;电压 - 集射极击穿(最大值):1200V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,25A;功率 - 最大值:375W;开关能量:600µJ(开),700µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:100nC;25°C 时 Td(开/关)值:29ns/130ns;测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):303ns;工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247-3;
QTY:
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rochester
IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A;功率 - 最大值:160W;开关能量:160µJ(开),200µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:97nC;25°C 时 Td(开/关)值:15ns/65ns;测试条件:300V,20A,10 欧姆,15V;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3;供应商器件封装:TO-3P;
QTY:
批次:{"MI+":450,"18+":450}
5000+:
¥22.283
$2.7855
1000+:
¥22.3053
$2.7882
500+:
¥22.3275
$2.7911
300+:
¥22.3498
$2.7939
100+:
¥22.372
$2.7966
50+:
¥22.3944
$2.7994
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IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):1200V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,15A;功率 - 最大值:216W;开关能量:1mJ(开),600µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:135nC;25°C 时 Td(开/关)值:50ns/240ns;测试条件:600V,15A,10 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):120ns;工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247AC;
QTY:
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rochester
IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):1100V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,55A;功率 - 最大值:227.2W;开关能量:-;输入类型:标准;25°C 时 Td(开/关)值:-;测试条件:-;工作温度:150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
QTY:
5000+:
¥50.8911
$6.1694
1000+:
¥50.942
$6.1755
500+:
¥50.9928
$6.1817
300+:
¥51.0436
$6.1878
100+:
¥51.0944
$6.194
50+:
¥51.1453
$6.2002
25+:
¥51.1961
$6.2063
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IGBT 类型:PT;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A;功率 - 最大值:250W;开关能量:540µJ(开),800µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:80nC;25°C 时 Td(开/关)值:19ns/125ns;测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):25ns;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247AD(IXGH);
QTY:
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rochester
IGBT 类型:沟槽型场截止;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A;功率 - 最大值:189W;开关能量:750µJ(开),540µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:90nC;25°C 时 Td(开/关)值:57ns/109ns;测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):200ns;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
QTY:
批次:{"14+":1873}
5000+:
¥13.9482
$1.7435
1000+:
¥13.9621
$1.7453
500+:
¥13.976
$1.747
300+:
¥13.99
$1.7489
100+:
¥14.0039
$1.7506
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IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A;功率 - 最大值:200W;开关能量:305µJ(开),181µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:102nC;25°C 时 Td(开/关)值:29.5ns/118ns;测试条件:390V,20A,10 欧姆,15V;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;供应商器件封装:D2PAK;
QTY:
100+:
¥22.249
$2.6971
10+:
¥25.3566
$3.0739
1+:
¥29.5995
$3.5882
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IGBT 类型:沟槽型场截止;电压 - 集射极击穿(最大值):1200V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A;功率 - 最大值:375W;开关能量:830µJ(开),2.37mJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:80nC;25°C 时 Td(开/关)值:31ns/147ns;测试条件:600V,25A,15欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):265ns;工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247-3;
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大陆8-12
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chip1stop
IGBT 类型:NPT;电压 - 集射极击穿(最大值):600V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14A;电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,7A;功率 - 最大值:83W;开关能量:99µJ(开),104µJ(关);输入类型:标准;栅极电荷:18nC;25°C 时 Td(开/关)值:5.9ns/32.3ns;测试条件:400V,7A,10 欧姆,15V;反向恢复时间 (trr):32.3ns;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;供应商器件封装:TO-263AB(D²PAK);
QTY:
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rochester
IGBT 类型:-;电压 - 集射极击穿(最大值):1100V;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A;不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,60A;功率 - 最大值:250W;开关能量:-;输入类型:标准;25°C 时 Td(开/关)值:-;测试条件:-;工作温度:150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247-3;
QTY:
5000+:
¥38.0799
$4.6163
1000+:
¥38.118
$4.6209
500+:
¥38.156
$4.6255
300+:
¥38.1941
$4.6301
100+:
¥38.2322
$4.6348
50+:
¥38.2702
$4.6394
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