全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：420 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：150mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75，SOT-416

供应商器件封装：SC-75

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：PG-SOT223-4

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：300mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A

电压 - 集射极击穿（最大值）：800V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1.33A，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：250µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：18 @ 700mA，5V

功率 - 最大值：110W

频率 - 跃迁：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：350mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-74A，SOT-753

供应商器件封装：SOT-23

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：400MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SST3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，6V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：SC-70（SOT323）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：150V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 1.6A，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：15 @ 4A，2V

功率 - 最大值：125W

频率 - 跃迁：4MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：500mW

频率 - 跃迁：210MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：620mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：300mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：900mW

频率 - 跃迁：420MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-96

供应商器件封装：3-CPH

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 3mA，30A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 4mA，2V

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：30MHz

工作温度：125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：USM

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：80MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：USM

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，10V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：170MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装：PW-MOLD

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：210MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：240mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 1A，2V

功率 - 最大值：1.1W

频率 - 跃迁：115MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-26

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：375mV @ 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：450MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商器件封装：6-MCPH

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：170mV @ 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 1A，2V

功率 - 最大值：830mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET™

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 60mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：500mW

频率 - 跃迁：120MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：PCP

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：36W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装：TO-225AA

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 15mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：250mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：350mW

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3