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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A;电压 - 集射极击穿(最大值):45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V;功率 - 最大值:2W;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA;供应商器件封装:PG-SOT223-4;
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340+:
¥0.8726
$0.1079
124+:
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100+:
¥1.1209
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25+:
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA;电压 - 集射极击穿(最大值):45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V;功率 - 最大值:300mW;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236);
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A;电压 - 集射极击穿(最大值):800V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1.33A,4A;电流 - 集电极截止(最大值):250µA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V;功率 - 最大值:110W;频率 - 跃迁:-;工作温度:150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3;供应商器件封装:TO-220AB;
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A;电压 - 集射极击穿(最大值):30V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 25mA,500mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V;功率 - 最大值:200mW;频率 - 跃迁:400MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供应商器件封装:SST3;
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25+:
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA;电压 - 集射极击穿(最大值):50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V;功率 - 最大值:200mW;频率 - 跃迁:300MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70,SOT-323;供应商器件封装:SC-70(SOT323);
QTY:
6000+:
¥0.1663
$0.0207
3000+:
¥0.198
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A;电压 - 集射极击穿(最大值):150V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2V @ 1.6A,8A;电流 - 集电极截止(最大值):10µA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):15 @ 4A,2V;功率 - 最大值:125W;频率 - 跃迁:4MHz;工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ);安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
QTY:
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5000+:
¥5.43
$0.6768
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mouser
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A;电压 - 集射极击穿(最大值):20V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,1A;电流 - 集电极截止(最大值):10nA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V;功率 - 最大值:500mW;频率 - 跃迁:210MHz;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70,SOT-323;供应商器件封装:SOT-323;
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24000+:
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¥3.4708
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大陆6-9
香港5-7
 
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rochester
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA;电压 - 集射极击穿(最大值):45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):620mV @ 50mA,500mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V;功率 - 最大值:300mW;频率 - 跃迁:-;工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236);
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批次:{"04+":63000,"06+":10000}
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¥0.1341
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起订量:
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- +
合计:¥0.0000
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rochester
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A;电压 - 集射极击穿(最大值):50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):330mV @ 50mA,1A;电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V;功率 - 最大值:900mW;频率 - 跃迁:420MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-96;供应商器件封装:3-CPH;
QTY:
5000+:
¥0.7897
$0.0984
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mouser
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA;电压 - 集射极击穿(最大值):50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA;电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO);不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V;功率 - 最大值:100mW;频率 - 跃迁:80MHz;工作温度:150°C(TJ);安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70,SOT-323;供应商器件封装:USM;
QTY:
3000+:
¥0.3554
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