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参数
操作

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

功率 - 最大值:150mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75,SOT-416

供应商器件封装:SC-75

Infineon

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装:PG-SOT223-4

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:300mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A

电压 - 集射极击穿(最大值):800V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1.33A,4A

电流 - 集电极截止(最大值):250µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V

功率 - 最大值:110W

频率 - 跃迁:-

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

Diodes

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V

功率 - 最大值:350mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-74A,SOT-753

供应商器件封装:SOT-23

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:200mW

频率 - 跃迁:400MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SST3

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V

功率 - 最大值:200mW

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:SC-70(SOT323)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):150V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2V @ 1.6A,8A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):15 @ 4A,2V

功率 - 最大值:125W

频率 - 跃迁:4MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

Diodes

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:500mW

频率 - 跃迁:210MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:SOT-323

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):620mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:300mW

频率 - 跃迁:-

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:625mW

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

供应商器件封装:TO-92-3

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):330mV @ 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:900mW

频率 - 跃迁:420MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-96

供应商器件封装:3-CPH

Toshiba

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):100mV @ 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 4mA,2V

功率 - 最大值:100mW

频率 - 跃迁:30MHz

工作温度:125°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:USM

Toshiba

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V

功率 - 最大值:100mW

频率 - 跃迁:80MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:USM

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,10V

功率 - 最大值:625mW

频率 - 跃迁:-

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

供应商器件封装:TO-92-3

Toshiba

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:170MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装:PW-MOLD

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:625mW

频率 - 跃迁:210MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装:TO-92-3

Diodes

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):240mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 1A,2V

功率 - 最大值:1.1W

频率 - 跃迁:115MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-23-6

供应商器件封装:SOT-26

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):375mV @ 15mA,750mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:450MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:6-SMD,扁平引线

供应商器件封装:6-MCPH

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 400mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 1A,2V

功率 - 最大值:830mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:ChipFET™

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:500mW

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:PCP

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:625mW

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装:TO-92-3

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V

功率 - 最大值:36W

频率 - 跃迁:3MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3

供应商器件封装:TO-225AA

Nexperia

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 15mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V

功率 - 最大值:250mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:TO-236AB

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:350mW

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3

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