全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）：250nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 30mA，10V

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：85MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-225AA

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：90MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线

供应商器件封装：I-PAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-523

供应商器件封装：SOT-523

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 3A，4V

功率 - 最大值：2W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：115mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 500mA，3V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：130MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：120V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 2mA，6V

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：85MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线

供应商器件封装：I-PAK

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：420 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）