猎芯网（电子元器件）首页 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
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BCP5416H6327XTSA1
tme
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A;电压 - 集射极击穿（最大值）:45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 50mA，500mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 150mA，2V;功率 - 最大值:2W;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA;供应商器件封装:PG-SOT223-4;
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340+：
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SBC817-25LT3G
digikey
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:700mV @ 50mA，500mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:160 @ 100mA，1V;功率 - 最大值:300mW;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）;
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BUL416T
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晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6A;电压 - 集射极击穿（最大值）:800V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1.33A，4A;电流 - 集电极截止（最大值）:250µA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:18 @ 700mA，5V;功率 - 最大值:110W;频率 - 跃迁:-;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3;供应商器件封装:TO-220AB;
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BSS4130AT116
chip1stop
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A;电压 - 集射极击穿（最大值）:30V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:350mV @ 25mA，500mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 100mA，2V;功率 - 最大值:200mW;频率 - 跃迁:400MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SST3;
QTY：
25+：
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FJX945GTF
chip1stop
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 10mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 1mA，6V;功率 - 最大值:200mW;频率 - 跃迁:300MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:SC-70（SOT323）;
QTY：
6000+：
￥0.1663
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大陆8-12
香港7-10
 
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MJW21192
rochester
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8A;电压 - 集射极击穿（最大值）:150V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:2V @ 1.6A，8A;电流 - 集电极截止（最大值）:10µA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 4A，2V;功率 - 最大值:125W;频率 - 跃迁:4MHz;工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商器件封装:TO-247;
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批次：{"MI+":188,"07+":101,"08+":31,"04+":1174}
5000+：
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大陆6-11
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ZUMT718TA
mouser
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A;电压 - 集射极击穿（最大值）:20V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 100mA，1A;电流 - 集电极截止（最大值）:10nA;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 500mA，2V;功率 - 最大值:500mW;频率 - 跃迁:210MHz;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:SOT-323;
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24000+：
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BCX19LT1
rochester
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:45V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:620mV @ 50mA，500mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 100mA，1V;功率 - 最大值:300mW;频率 - 跃迁:-;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）;
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$0.0167
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大陆6-11
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CPH3145-TL-E
rochester
晶体管类型:PNP;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:330mV @ 50mA，1A;电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 100mA，2V;功率 - 最大值:900mW;频率 - 跃迁:420MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-96;供应商器件封装:3-CPH;
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5000+：
￥0.7897
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大陆6-11
香港5-9
 
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TTC4116FU,LF
mouser
晶体管类型:NPN;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 10mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 2mA，6V;功率 - 最大值:100mW;频率 - 跃迁:80MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:USM;
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3000+：
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￥1.9833
$0.2472
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