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ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:85MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-225AA

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:90MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线

供应商器件封装:I-PAK

Nexperia(安世)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 30mA,300mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

ST(先科)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-523

供应商器件封装:SOT-523

ST(意法)

数据手册

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2.5V @ 80mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 3A,4V

功率 - 最大值:2W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SC-70-3(SOT323)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):115mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 30mA,300mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:130MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA

电压 - 集射极击穿(最大值):120V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 2mA,6V

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:85MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线

供应商器件封装:I-PAK

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