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操作
DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):290mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V

频率 - 跃迁:125MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,150mV

功率 - 最大值:1.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):350V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):350V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:70MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89-3

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,2V

功率 - 最大值:1.25W

频率 - 跃迁:160MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:3-UFDFN

供应商器件封装:3-X1DFN1006

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:240MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223-4

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.25V @ 8mA,800mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):5000 @ 100mA,5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):185mV @ 550mA,5.5A

电流 - 集电极截止(最大值):20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2.1W

频率 - 跃迁:152MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89-3

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):140V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):360mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,5V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

TI(德州仪器)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.2A

电压 - 集射极击穿(最大值):36V

工作温度:0°C ~ 125°C(TA)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):110 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92-3

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:20W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-126-3

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92-3

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:SC-75,SOT-416

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 100µA,5V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92-3

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):500 @ 100µA,5V

频率 - 跃迁:700MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1A,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):90mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 600mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1A,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):140 @ 100mA,5V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:2-TP-FA

0
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