全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1A，1V

功率 - 最大值：1.2W

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 500mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：30W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-225AA

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 30mA，10V

频率 - 跃迁：50MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：75 @ 1A，2V

频率 - 跃迁：75MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：10 @ 3A，4V

功率 - 最大值：1.56W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 4A，4V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：4MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 1A，2V

功率 - 最大值：1.6W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1A，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：80MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：CPT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：270MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 1A，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：80MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：300µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：10 @ 3A，4V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB