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Nexperia(安世)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):150V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:90MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:40MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):4V @ 80mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:4MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:350MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-89

供应商器件封装:EMT3F(SOT-416FL)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-225AA

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 50mA,10V

频率 - 跃迁:60MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

ST(意法)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:20W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ST(意法)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):135 @ 2A,2V

功率 - 最大值:1.6W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):180mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

电流 - 集电极截止(最大值):100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:1.56W

频率 - 跃迁:10MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

Nexperia(安世)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:90MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

TOSHIBA(东芝)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A

电压 - 集射极击穿(最大值):230V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3V @ 800mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值):5µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 1A,5V

功率 - 最大值:150W

频率 - 跃迁:30MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P(L)

0
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