全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：150V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 10mA，5V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：90MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：40MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 500mA，3V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 4A，4V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：4MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：350MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-89

供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-225AA

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 50mA，10V

频率 - 跃迁：60MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：20W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：135 @ 2A，2V

功率 - 最大值：1.6W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：180mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：170mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V

功率 - 最大值：1.56W

频率 - 跃迁：10MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：90MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：120MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15A

电压 - 集射极击穿（最大值）：230V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 1A，5V

功率 - 最大值：150W

频率 - 跃迁：30MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P（L）