全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：8V @ 3.3A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）：700µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 4A，4V

功率 - 最大值：75W

频率 - 跃迁：2MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：1.8W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA

供应商器件封装：TO-18

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 3mA，30mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：820 @ 4ma，2V

频率 - 跃迁：35MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1A，3.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：250µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 800mA，3V

功率 - 最大值：70W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：145MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SST3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：80MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：80MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：63 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1.25W

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：390mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1A，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：390mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1A，2V

功率 - 最大值：1.6W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，5V

频率 - 跃迁：120MHz

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：DFN2020D-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 250mA，10V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 30mA，10V

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：125 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1.3W

频率 - 跃迁：145MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：63 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1.3W

频率 - 跃迁：145MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89