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操作
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ST(意法)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):8V @ 3.3A,10A

电流 - 集电极截止(最大值):700µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,4V

功率 - 最大值:75W

频率 - 跃迁:2MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ST(先科)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:1.8W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-206AA

供应商器件封装:TO-18

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):100mV @ 3mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):820 @ 4ma,2V

频率 - 跃迁:35MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1A,3.5A

电流 - 集电极截止(最大值):250µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 800mA,3V

功率 - 最大值:70W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:145MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SST3

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:80MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:80MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.25W

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):390mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1A,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):390mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1A,2V

功率 - 最大值:1.6W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,5V

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:DFN2020D-3

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 250mA,10V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.3W

频率 - 跃迁:145MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.3W

频率 - 跃迁:145MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

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