全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 2.5mA，25mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 25mA，1V

频率 - 跃迁：85MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：250mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 20mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 100mA，10V

功率 - 最大值：1.4W

频率 - 跃迁：55MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 2A，2V

功率 - 最大值：1.1W

频率 - 跃迁：165MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 1A，2V

功率 - 最大值：2.1W

频率 - 跃迁：210MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：3-PowerUDFN

供应商器件封装：3-HUSON（2x2）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：15V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：400nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 100mA，1V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：125 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 7mA，10V

频率 - 跃迁：450MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：12 @ 500mA，5V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92AP

晶体管类型：NPN + 二极管（隔离式）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：270mV @ 125mA，4.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：25nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2A，2V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN（3x2）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 50mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1A，2V

频率 - 跃迁：165MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：140V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1A，5V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：110MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA

供应商器件封装：TO-18

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：175MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V

功率 - 最大值：15W

频率 - 跃迁：90MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：CPT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，2V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-96

供应商器件封装：TSMT3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：25MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线

供应商器件封装：I-PAK

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 4A，4V

功率 - 最大值：75W

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A

电压 - 集射极击穿（最大值）：120V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3.5V @ 500mA，50A

电流 - 集电极截止（最大值）：2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 25A，5V

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：750 @ 1.5A，3V

功率 - 最大值：40W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-225AA

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.8V @ 1A，5A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：45 @ 2A，1V

功率 - 最大值：1.4W

频率 - 跃迁：65MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK