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Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 25mA,1V

频率 - 跃迁:85MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):250mA

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 20mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 100mA,10V

功率 - 最大值:1.4W

频率 - 跃迁:55MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.3A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 400mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 2A,2V

功率 - 最大值:1.1W

频率 - 跃迁:165MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 1A,2V

功率 - 最大值:2.1W

频率 - 跃迁:210MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:3-PowerUDFN

供应商器件封装:3-HUSON(2x2)

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):15V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):400nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25mA

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 7mA,10V

频率 - 跃迁:450MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 500mA,5V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92AP

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN + 二极管(隔离式)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):270mV @ 125mA,4.5A

电流 - 集电极截止(最大值):25nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2A,2V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-DFN(3x2)

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):220mV @ 50mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1A,2V

频率 - 跃迁:165MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):140V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):370mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,5V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:110MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ST(先科)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,150mA

电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-206AA

供应商器件封装:TO-18

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:175MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:15W

频率 - 跃迁:90MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:CPT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-96

供应商器件封装:TSMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 100mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

ON(安森美)

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:25MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线

供应商器件封装:I-PAK

ON(安森美)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2V @ 16mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V

功率 - 最大值:75W

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ON(安森美)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A

电压 - 集射极击穿(最大值):120V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3.5V @ 500mA,50A

电流 - 集电极截止(最大值):2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 25A,5V

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3

ON(安森美)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A

电流 - 集电极截止(最大值):100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V

功率 - 最大值:40W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-225AA

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):25V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.8V @ 1A,5A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):45 @ 2A,1V

功率 - 最大值:1.4W

频率 - 跃迁:65MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

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