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操作
ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):310mV @ 20mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1.5A,1.5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-23-6

供应商器件封装:6-TSOP

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SOT-323

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):150mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ST(意法)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.25W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:SOT-32-3

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:15W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SC-70-3(SOT323)

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:350MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-85

供应商器件封装:UMT3F

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.1V @ 150mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:12.5W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:SOT-32(TO-126)

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:10MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60mA

电压 - 集射极击穿(最大值):160V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-723

供应商器件封装:SOT-723

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):125mV @ 400mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2A,2V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:3-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:3-WDFN(2x2)

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):450V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 500mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值):100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):14 @ 300mA,5V

功率 - 最大值:35W

频率 - 跃迁:13MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220FP

ST(意法)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 20mA,5V

功率 - 最大值:1.6W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 200mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:40MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-225AA

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SC-70-3(SOT323)

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SST3

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):4V @ 5A,25A

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 15A,4V

功率 - 最大值:125W

频率 - 跃迁:3MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247-3

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 10mA,3V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ST(意法)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2V @ 12mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):750 @ 3A,3V

功率 - 最大值:60W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

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