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Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:145MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:60MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):370mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 1A,2V

功率 - 最大值:1.6W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:250MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):125V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 200mA,10V

频率 - 跃迁:155MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V

功率 - 最大值:1.56W

频率 - 跃迁:10MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:TO-252-3

ON(安森美)

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V

功率 - 最大值:1.75W

频率 - 跃迁:25MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:D-Pak

ON(安森美)

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A

电流 - 集电极截止(最大值):500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V

功率 - 最大值:14W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:TO-126-3

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

频率 - 跃迁:300MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SC-70-3(SOT323)

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 375mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 3A,4V

功率 - 最大值:1.56W

频率 - 跃迁:3MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:DPAK

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3

供应商器件封装:TO-92-3

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:60MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-85

供应商器件封装:UMT3F

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:MPT3

Nexperia(安世)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V

功率 - 最大值:1.2W

频率 - 跃迁:140MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 200mA,10V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.25A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 500mA,2V

频率 - 跃迁:195MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:70MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:CPT3

ST(意法)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:20.8W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:SOT-32-3

ST(意法)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V

功率 - 最大值:20.8W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA

供应商器件封装:SOT-32-3

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V

频率 - 跃迁:180MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-723

供应商器件封装:VMT3

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 30mA,300mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ON(安森美)

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A

电压 - 集射极击穿(最大值):250V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):4V @ 150mA,15A

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):400 @ 10A,5V

功率 - 最大值:150W

频率 - 跃迁:3MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:PCP

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