全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：145MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：85 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：60MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 1A，2V

功率 - 最大值：1.6W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：125V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 200mA，10V

频率 - 跃迁：155MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 300mA，10V

功率 - 最大值：1.56W

频率 - 跃迁：10MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：TO-252-3

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：25MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：D-Pak

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：750 @ 1.5A，3V

功率 - 最大值：14W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：TO-126-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V

频率 - 跃迁：300MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：10 @ 3A，4V

功率 - 最大值：1.56W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：DPAK

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 50mA，10V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：60MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：UMT3F

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：MPT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：85 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：1.2W

频率 - 跃迁：140MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：400V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 200mA，10V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.25A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 500mA，2V

频率 - 跃迁：195MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：70MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：CPT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V

功率 - 最大值：20.8W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：SOT-32-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V

功率 - 最大值：20.8W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA

供应商器件封装：SOT-32-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V

频率 - 跃迁：180MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VMT3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15A

电压 - 集射极击穿（最大值）：250V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 150mA，15A

电流 - 集电极截止（最大值）：1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：400 @ 10A，5V

功率 - 最大值：150W

频率 - 跃迁：3MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，2V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：PCP