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ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 25mA,20V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:60MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):350V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):260mV @ 300mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,1V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:130MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100µA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V

频率 - 跃迁:220MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ON(安森美)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:50MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:SC-70-3(SOT323)

ON(安森美)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100µA,5V

频率 - 跃迁:700MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,200mV

功率 - 最大值:1.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):200V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 25mA,250mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):85 @ 250mA,10V

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):345mV @ 250mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V

功率 - 最大值:2.4W

频率 - 跃迁:175MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):220mV @ 500mA,5A

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V

功率 - 最大值:3.2W

频率 - 跃迁:130MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:PowerDI™ 5

供应商器件封装:PowerDI™ 5

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 30mA,300mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 100mA,1V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 400mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V

功率 - 最大值:1.2W

频率 - 跃迁:130MHz

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:E-Line-3

供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,5V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:30MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3

供应商器件封装:TO-252-3

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 300mA,6.5A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,1V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 200mA,5A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,1V

功率 - 最大值:1.2W

频率 - 跃迁:130MHz

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:E-Line-3

供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 250mA,10V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:150MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):340mV @ 100mA,5A

电流 - 集电极截止(最大值):10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 1A,2V

功率 - 最大值:2.5W

频率 - 跃迁:155MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.5A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):210mV @ 500mA,5.5A

电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,1V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:110MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):140V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 15mA,150mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:E-Line-3

供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):460mV @ 500mA,5A

电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,1V

功率 - 最大值:3W

频率 - 跃迁:120MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 20mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 50mA,10V

频率 - 跃迁:75MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:1W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-261-4

供应商器件封装:SOT-223

0
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