全球电子供应链智慧平台

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，30mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 25mA，20V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：60MHz

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：350V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 50mA，10V

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 500mA，5V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：260mV @ 300mA，6A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，1V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：130MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：10000 @ 100mA，5V

频率 - 跃迁：220MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：50MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100µA，5V

频率 - 跃迁：700MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，200mV

功率 - 最大值：1.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：200V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，250mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：85 @ 250mA，10V

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：345mV @ 250mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 10mA，2V

功率 - 最大值：2.4W

频率 - 跃迁：175MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 500mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V

功率 - 最大值：3.2W

频率 - 跃迁：130MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：PowerDI™ 5

供应商器件封装：PowerDI™ 5

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 100mA，1V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V

功率 - 最大值：1.2W

频率 - 跃迁：130MHz

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：E-Line-3

供应商器件封装：E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：30MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 10mA，2V

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3

供应商器件封装：TO-252-3

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 300mA，6.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1A，1V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，1V

功率 - 最大值：1.2W

频率 - 跃迁：130MHz

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：E-Line-3

供应商器件封装：E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 250mA，10V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：150MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 100mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 1A，2V

功率 - 最大值：2.5W

频率 - 跃迁：155MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：210mV @ 500mA，5.5A

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1A，1V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：110MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：140V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 15mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：E-Line-3

供应商器件封装：E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：460mV @ 500mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，1V

功率 - 最大值：3W

频率 - 跃迁：120MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：300V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 20mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 50mA，10V

频率 - 跃迁：75MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-261-4

供应商器件封装：SOT-223