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ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):80mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

频率 - 跃迁:200MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:200MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-85

供应商器件封装:UMT3F

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ON(安森美)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:SC-75,SOT-416

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):100mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

频率 - 跃迁:230MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):150mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:TO-236AB

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:UMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA

电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:260MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-75

供应商器件封装:EMT3

TOSHIBA(东芝)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SC-70

供应商器件封装:USM

ON(安森美)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):820 @ 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):150mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

频率 - 跃迁:150MHz

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-236-3

供应商器件封装:SMT3

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