猎芯网（电子元器件）首页 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
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DTC114EUAT106
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

立即购买

DTA114YKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

立即购买

DTA143EUAT106
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

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DTC143EKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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DTC143XKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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DTC323TKT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：80mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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MMUN2211LT1G
ON(安森美)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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DTA114YETL
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

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DTD113ZKT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：82 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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DTC124EUBTL
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：56 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：UMT3F

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DTC143XUAT106
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

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DTC114TKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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DTC114EET1G
ON(安森美)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：SC-75，SOT-416

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DTA114EETL
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

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DTC144EKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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PDTC143ZT,235
Nexperia(安世)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

频率 - 跃迁：230MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

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PDTD113ZT,215
Nexperia(安世)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

立即购买

PDTC124ET,215
Nexperia(安世)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

立即购买

DTC114EKAT146
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

立即购买

DTC114YUAT106
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

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DTD713ZETL
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA

电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：140 @ 100mA，2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：260MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

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DTA115EETL
ROHM(罗姆)

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：82 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：EMT3

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RN1305,LF
TOSHIBA(东芝)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：USM

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SMMUN2211LT1G
ON(安森美)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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DTC623TKT146
ROHM(罗姆)

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：820 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：150MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

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