猎芯网（电子元器件）首页 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
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DRC3144V0L
PANASONIC

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：SSSMini3-F2-B

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DTC015TUBTL
ROHM

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：UMT3F

立即购买

FJY4004R
FAIRCHILD

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-89

供应商器件封装：SOT-523F

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FJNS3201RTA
FAIRCHILD

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3

供应商器件封装：TO-92S

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DRA5143T0L
PANASONIC

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：SMini3-F2-B

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UNR212200L
PANASONIC

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：迷你型3-G1

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DTA113ZUAT106
ROHM

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：33 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

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DTC023JEBTL
ROHM

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 500µA，5mA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-89

供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）

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DTD114EKT146
ROHM

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：56 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

立即购买

PDTA143ZT,215
Nexperia

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

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RN1115,LF(CT
Toshiba

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：SSM

立即购买

PDTA143ZE,115
NXP

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-75

供应商器件封装：SC-75

立即购买

RN2309(TE85L,F)
Toshiba

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：USM

立即购买

RN2109ACT(TPL3)
Toshiba

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-101

供应商器件封装：CST3

立即购买

DTA143XMT2L
ROHM

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VMT3

立即购买

SMUN5211T3G
ON

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

立即购买

DDTC143TUA-7-F
DIODES

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，2.5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

立即购买

DTB123YUT106
ROHM

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：56 @ 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：UMT3

立即购买

DRA9114T0L
PANASONIC

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-89

供应商器件封装：SS迷你型3-F3-B

立即购买

DDTA123JCA-7-F
DIODES

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SOT-23-3

立即购买

PDTC124XT,215
Nexperia

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：TO-236AB

立即购买

DTA123EKAT146
ROHM

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 20mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-236-3

供应商器件封装：SMT3

立即购买

PDTC114YU,115
Nexperia

数据手册

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

频率 - 跃迁：230MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

立即购买

DTA124EM3T5G
ON

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：SOT-723

立即购买

PDTA114YU,115
Nexperia

数据手册

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SC-70

供应商器件封装：SOT-323

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