猎芯网（电子元器件）首页 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
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DTC114EU3T106
digikey
晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 5mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:-;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:UMT3;
QTY：
150000+：
￥0.1809
$0.0226
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￥0.2046
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15000+：
￥0.2174
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大陆6-9
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DTB543ZETL
chip1stop
晶体管类型:PNP - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:140 @ 100mA，2V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 5mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:260MHz;功率 - 最大值:150mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-75，SOT-416;供应商器件封装:EMT3;
QTY：
500+：
￥0.5179
$0.0646
200+：
￥0.5187
$0.0647
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DTB543EETL
chip1stop
晶体管类型:PNP - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:115 @ 100mA，2V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 5mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:260MHz;功率 - 最大值:150mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-75，SOT-416;供应商器件封装:EMT3;
QTY：
500+：
￥0.3667
$0.0457
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￥0.3675
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￥0.396
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大陆8-12
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BCR183WH6327XTSA1
rochester
晶体管类型:PNP - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 5mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;频率 - 跃迁:200MHz;功率 - 最大值:250mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:PG-SOT323-3;
QTY：
批次：{"18+":32000}
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DTA114TU3T106
digikey
晶体管类型:PNP - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):10 Ohms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 1mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:UMT3;
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1000+：
￥0.4858
$0.0606
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￥0.7144
$0.089
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￥1.0855
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10+：
￥2.0505
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1+：
￥2.4926
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大陆6-9
香港5-7
 
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FJNS3201RTA
rochester
晶体管类型:NPN - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 10mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:300mW;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 短体;供应商器件封装:TO-92S;
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大陆6-11
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MUN5234T1
rochester
晶体管类型:NPN - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):22 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 1mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;功率 - 最大值:202mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:SC-70-3（SOT323）;
QTY：
5000+：
￥0.2681
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大陆6-11
香港5-9
 
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DDTC115EUA-7-F
mouser
晶体管类型:NPN - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):100 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:82 @ 5mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 250µA，5mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-70，SOT-323;供应商器件封装:SOT-323;
QTY：
45000+：
￥0.2397
$0.0299
24000+：
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9000+：
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1+：
￥2.1486
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DTB123EKFRAT146
mouser
晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:39 @ 50mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA;电流 - 集电极截止（最大值）:-;频率 - 跃迁:200MHz;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SMT3;
QTY：
24000+：
￥0.7685
$0.0958
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￥0.7768
$0.0968
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$0.3584
1+：
￥3.8013
$0.4738
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大陆6-9
香港5-7
 
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DTC113EET1G
rochester
晶体管类型:NPN - 预偏压;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms;电阻器 - 发射极 (R2):1 kOhms;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:3 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 5mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-75，SOT-416;供应商器件封装:SC-75;
QTY：
批次：{"15+":261000}
5000+：
￥0.1203
$0.015
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大陆6-11
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