分立半导体产品-晶体管 - 双极（BJT）- 射频-元器件大全网站

55GN01FA-TL-H

rochester

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:10V;频率 - 跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz;增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz;功率 - 最大值:250mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，5V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-81;供应商器件封装:3-SSFP;

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CPH6001A-TL-E

mouser

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;频率 - 跃迁:6.7GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz;增益:11dB;功率 - 最大值:800mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:90 @ 30mA，5V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6;供应商器件封装:6-CPH;

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JANTXV2N4957

chip1stop

晶体管类型:PNP;电压 - 集射极击穿（最大值）:30V;频率 - 跃迁:-;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz;增益:25dB;功率 - 最大值:200mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 5mA，10V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30mA;工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-72-3 金属罐;供应商器件封装:TO-72;

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2SC5066-O,LF

chip1stop

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;频率 - 跃迁:7GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz;增益:-;功率 - 最大值:100mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30mA;工作温度:125°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-75，SOT-416;供应商器件封装:SSM;

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MAX2601ESA+

digikey

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:15V;频率 - 跃迁:1GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz;增益:11.6dB;功率 - 最大值:6.4W;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 250mA，3V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.2A;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘;供应商器件封装:8-SOIC-EP;

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MCH4021-TL-E

rochester

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:8V;频率 - 跃迁:16GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz;增益:17.5dB;功率 - 最大值:400mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 50mA，5V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:4-SMD，扁平引线;供应商器件封装:4-MCPH;

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BFR35APE6327HTSA1

rochester

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:15V;频率 - 跃迁:5GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz;增益:10.5dB ~ 16dB;功率 - 最大值:280mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:70 @ 15mA，8V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3;

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批次：{"15+":239875,"18+":520968,"10+":6000,"17+":120000,"13+":351000,"MI+":3000}

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BFP196WNH6327XTSA1

rochester

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;频率 - 跃迁:7.5GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz;增益:9.7dB;功率 - 最大值:700mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:70 @ 50mA，8V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-82A，SOT-343;供应商器件封装:PG-SOT343-4;

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批次：{"16+":297000,"17+":78000,"19+":6000}

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BFR 181 E6327

mouser

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;频率 - 跃迁:8GHz;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz;增益:18.5dB;功率 - 最大值:175mW;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:70 @ 5mA，8V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20mA;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3;供应商器件封装:SOT-23-3;

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MRF1000MB

verical

晶体管类型:NPN;电压 - 集射极击穿（最大值）:20V;频率 - 跃迁:-;噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-;增益:10.7dB ~ 12dB;功率 - 最大值:0.7W;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 100mA，5V;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA;工作温度:-;安装类型:底座安装;封装/外壳:332A-02;供应商器件封装:332A-03，2 型;

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