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VT6Z2T2R

chip1stop

晶体管类型:NPN，PNP;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 5mA，50mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 1mA，6V;功率 - 最大值:150mW;频率 - 跃迁:350MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-SMD;供应商器件封装:VMT6;

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PBSS5160PAP,115

rochester

晶体管类型:2 PNP（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A;电压 - 集射极击穿（最大值）:60V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:340mV @ 100mA，1A;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 500mA，2V;功率 - 最大值:510mW;频率 - 跃迁:125MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘;供应商器件封装:6-HUSON-EP（2x2）;

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MMPQ3906

digikey

晶体管类型:4 PNP（四路）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:40V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:400mV @ 5mA，50mA;电流 - 集电极截止（最大值）:-;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，1V;功率 - 最大值:1W;频率 - 跃迁:200MHz;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）;供应商器件封装:16-SOIC;

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FMB3904

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晶体管类型:2 NPN（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:40V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 5mA，50mA;电流 - 集电极截止（最大值）:-;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，1V;功率 - 最大值:700mW;频率 - 跃迁:250MHz;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6;供应商器件封装:SuperSOT™-6;

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AC857BSQ-7

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晶体管类型:2 PNP（双）;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:400mV @ 5mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:220 @ 2mA，5V;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:SOT-363;

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EMY1T2R

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晶体管类型:NPN，PNP（耦合发射器）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 1mA，6V;功率 - 最大值:150mW;频率 - 跃迁:180MHz，140MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线;供应商器件封装:EMT5;

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US6X7TR

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晶体管类型:2 NPN（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.5A;电压 - 集射极击穿（最大值）:12V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:200mV @ 25mA，500mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 200mA，2V;功率 - 最大值:400mW;频率 - 跃迁:400MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-SMD，扁平引线;供应商器件封装:TUMT6;

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MPQ2369 TIN/LEAD

digikey

晶体管类型:4 NPN（四路）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:15V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 1mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 100mA，2V;功率 - 最大值:500mW;频率 - 跃迁:450MHz;工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）;安装类型:通孔;封装/外壳:14-DIP（0.300"，7.62mm）;供应商器件封装:TO-116;

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BCV63,215

rochester

晶体管类型:2 NPN（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:30V，6V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV;功率 - 最大值:250mW;频率 - 跃迁:100MHz;工作温度:150°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA;供应商器件封装:SOT-143B;

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HN1A01FU-GR,LF

mouser

晶体管类型:2 PNP（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 10mA，100mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 2mA，6V;功率 - 最大值:200mW;频率 - 跃迁:80MHz;工作温度:125°C（TJ）;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:US6;

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