分立半导体产品-晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置-元器件大全网站

NSBC123JDXV6T5

rochester

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):2.2 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 300µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:500mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-563，SOT-666;供应商器件封装:SOT-563;

QTY：

批次：{"04+":79831,"05+":104000}

5000+：

￥0.3981

$0.0498

批次/阶梯价

大陆6-11

香港5-9

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

NUS2401SNT1

rochester

晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):175 欧姆，10 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:350mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-74，SOT-457;供应商器件封装:SC-74;

QTY：

批次：{"03+":2990,"04+":3000}

5000+：

￥1.1941

$0.1492

1000+：

￥1.1953

$0.1494

批次/阶梯价

大陆6-11

香港5-9

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

MUN5232DW1T1G

digikey

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):4.7 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 1mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:250mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363;

QTY：

批次/阶梯价

大陆6-9

香港5-7

起订量：

递增量：

联系销售

MUN5116DW1T1

rochester

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):-;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:160 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 1mA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:250mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363;

QTY：

批次：{"03+":144000}

5000+：

￥0.3317

$0.0414

批次/阶梯价

大陆6-11

香港5-9

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

PUMH19,115

rochester

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):22 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):-;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:150mV @ 500µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:1µA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:300mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:6-TSSOP;

QTY：

批次：{"16+":66000,"19+":132000,"20+":24000}

5000+：

￥0.1635

$0.0198

批次/阶梯价

大陆6-11

香港5-9

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

NSVMUN5212DW1T1G

digikey

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):22 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):22 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 300µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:250mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363;

QTY：

150000+：

￥0.3239

$0.0393

75000+：

￥0.3736

$0.0453

30000+：

￥0.3986

$0.0484

15000+：

￥0.4234

$0.0514

6000+：

￥0.4981

$0.0605

3000+：

￥0.573

$0.0696

批次/阶梯价

大陆6-9

香港5-7

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

RN1908,LF(CT

mouser

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):22 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 250µA，5mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:200mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363;供应商器件封装:US6;

QTY：

99000+：

￥0.2252

$0.0273

45000+：

￥0.2599

$0.0315

24000+：

￥0.2772

$0.0336

9000+：

￥0.2858

$0.0347

3000+：

￥0.3551

$0.0431

1000+：

￥0.4503

$0.0546

100+：

￥0.6496

$0.0788

10+：

￥1.5764

$0.1911

1+：

￥2.3386

$0.2835

批次/阶梯价

大陆6-9

香港5-7

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

EMH1T2R

chip1stop

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):22 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):22 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:56 @ 5mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:150mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-563，SOT-666;供应商器件封装:EMT6;

QTY：

50+：

￥0.2901

$0.036

25+：

￥0.3029

$0.0376

批次/阶梯价

大陆8-12

香港7-10

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买

RN1511(TE85L,F)

digikey

晶体管类型:2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):10 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):-;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 1mA，5V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 250µA，5mA;电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）;频率 - 跃迁:250MHz;功率 - 最大值:300mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SC-74A，SOT-753;供应商器件封装:SMV;

QTY：

批次/阶梯价

大陆6-9

香港5-7

起订量：

递增量：

联系销售

NSBA114YDP6T5G

rochester

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）;电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA;电压 - 集射极击穿（最大值）:50V;电阻器 - 基极 (R1):10 千欧;电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧;不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 5mA，10V;不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 300µA，10mA;电流 - 集电极截止（最大值）:500nA;频率 - 跃迁:-;功率 - 最大值:408mW;安装类型:表面贴装型;封装/外壳:SOT-963;供应商器件封装:SOT-963;

QTY：

批次：{"16+":144000,"09+":64000,"11+":224000}

5000+：

￥0.2994

$0.0374

批次/阶梯价

大陆6-11

香港5-9

起订量：

递增量：

- +

合计：¥0.0000

加入购物车

立即购买