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ST(意法)

数据手册

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32-位

速度:32MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART,USB

外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT

I/O 数:84

程序存储容量:64KB(64K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:3K x 8

RAM 大小:20K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:100-LQFP

供应商器件封装:100-LQFP(14x14)

ST(意法)

数据手册

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:120MHz

连接能力:CANbus,以太网,I²C,IrDA,LINbus,存储卡,SPI,UART/USART,USB OTG

外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT

I/O 数:114

程序存储容量:512KB(512K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:132K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 24x12b D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:144-LQFP

供应商器件封装:144-LQFP(20x20)

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M4

内核规格:32-位

速度:120MHz

连接能力:CANbus,EBI/EMI,I²C,IrDA,LINbus,MMC/SD,SAI,SPI,UART/USART,USB OTG

外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT

I/O 数:83

程序存储容量:2MB(2M x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:640K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:100-LQFP

供应商器件封装:100-LQFP(14x14)

NXP(恩智浦)

数据手册

核心处理器:ARM® Cortex®-M0

内核规格:32-位

速度:50MHz

连接能力:I²C,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,POR,WDT

I/O 数:28

程序存储容量:32KB(32K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:8K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 8x10b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:32-VQFN 裸露焊盘

供应商器件封装:32-HVQFN(7x7)

ST(意法)

数据手册

核心处理器:STM8

内核规格:8 位

速度:16MHz

连接能力:I²C,IrDA,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,DMA,IR,POR,PWM,WDT

I/O 数:18

程序存储容量:8KB(8K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:256 x 8

RAM 大小:1K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 10x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:20-TSSOP

CYPRESS(赛普拉斯)

核心处理器:ARM® Cortex®-M0

内核规格:32-位

速度:24MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART

外设:欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:24

程序存储容量:16KB(16K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:4K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 8x12b SAR D/A 2xIDAC

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:28-SSOP(0.209",5.30mm 宽)

供应商器件封装:28-SSOP

ST(意法)

核心处理器:STM8

内核规格:8 位

速度:16MHz

连接能力:I²C,SPI,UART/USART

外设:红外线,POR,PWM,WDT

I/O 数:18

程序存储容量:4KB(4K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:1.5K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.65V ~ 3.6V

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:20-UFQFN

供应商器件封装:20-UFQFPN(3x3)

ST(意法)

核心处理器:STM8

内核规格:8 位

速度:16MHz

连接能力:I²C,IrDA,SPI,UART/USART

外设:高级欠压探测/复位,DMA,IR,LCD,POR,PWM,WDT

I/O 数:54

程序存储容量:64KB(64K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:2K x 8

RAM 大小:4K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 28x12b D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(10x10)

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:36MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART

外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT

I/O 数:51

程序存储容量:1MB(1M x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:80K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(10x10)

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:72MHz

连接能力:CANbus,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB

外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT

I/O 数:112

程序存储容量:384KB(384K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:64K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 24x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:144-LQFP

供应商器件封装:144-LQFP(20x20)

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:36MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART

外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT

I/O 数:51

程序存储容量:32KB(32K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:6K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(10x10)

ST(意法)

核心处理器:STM8

内核规格:8 位

速度:16MHz

连接能力:I²C,SPI,UART/USART

外设:红外线,POR,PWM,WDT

I/O 数:18

程序存储容量:8KB(8K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:2K x 8

RAM 大小:1.5K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.65V ~ 3.6V

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:20-TSSOP

NXP(恩智浦)

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32-位

速度:48MHz

连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART

外设:LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:57

程序存储容量:64KB(64K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:8K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 16x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(10x10)

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:72MHz

连接能力:CANbus,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB

外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT

I/O 数:51

程序存储容量:384KB(384K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:64K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:64-LQFP

供应商器件封装:64-LQFP(10x10)

NXP(恩智浦)

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32-位

速度:30MHz

连接能力:I²C,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT

I/O 数:16

程序存储容量:16KB(16K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:4K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 5x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:20-TSSOP

NXP(恩智浦)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:72MHz

连接能力:CANbus,I²C,SPI,UART/USART,USB

外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT

I/O 数:30

程序存储容量:256KB(256K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:4K x 8

RAM 大小:36K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.4V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:48-LQFP

供应商器件封装:48-LQFP(7x7)

TI(德州仪器)

核心处理器:MSP430

内核规格:16 位

速度:8MHz

连接能力:SPI,UART/USART

外设:POR,PWM,WDT

I/O 数:22

程序存储容量:8KB(8K x 8 + 256B)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:256 x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:斜率 A/D

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

供应商器件封装:28-SOIC

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32-位

速度:32MHz

连接能力:I²C,IrDA,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT

I/O 数:37

程序存储容量:128KB(128K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:6K x 8

RAM 大小:20K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.65V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 13x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:48-LQFP

供应商器件封装:48-LQFP(7x7)

MICROCHIP(微芯)

核心处理器:PIC

内核规格:8 位

速度:40MHz

连接能力:I²C,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,HLVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:36

程序存储容量:16KB(8K x 16)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:256 x 8

RAM 大小:768 x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):4.2V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 13x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:44-TQFP

供应商器件封装:44-TQFP(10x10)

MICROCHIP(微芯)

核心处理器:dsPIC

内核规格:16 位

速度:20 MIPS

连接能力:CANbus,I²C,SPI,UART/USART

外设:AC&apos97,欠压检测/复位,I²S,LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:68

程序存储容量:144KB(48K x 24)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:4K x 8

RAM 大小:8K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.5V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 16x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:80-TQFP

供应商器件封装:80-TQFP(14x14)

MICROCHIP(微芯)

核心处理器:PIC

内核规格:8 位

速度:32MHz

连接能力:I²C,LINbus,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT

I/O 数:18

程序存储容量:14KB(8K x 14)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:1K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.3V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 12x10b;D/A 1x8b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

供应商器件封装:20-SOIC

ST(意法)

核心处理器:ARM® Cortex®-M3

内核规格:32-位

速度:24MHz

连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART

外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT

I/O 数:80

程序存储容量:512KB(512K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:32K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:100-LQFP

供应商器件封装:100-LQFP(14x14)

ST(意法)

核心处理器:STM8

内核规格:8 位

速度:16MHz

连接能力:I²C,IrDA,SPI,UART/USART

外设:欠压检测/复位,DMA,IR,POR,PWM,WDT

I/O 数:30

程序存储容量:32KB(32K x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:1K x 8

RAM 大小:2K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V

数据转换器:A/D 22x12b D/A 1x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:32-UFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装:32-UFQFPN(5x5)

NXP(恩智浦)

核心处理器:ARM® Cortex®-M0+

内核规格:32-位

速度:48MHz

连接能力:I²C,LINbus,SPI,UART/USART

外设:LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:22

程序存储容量:8KB(8K x 8)

程序存储器类型:闪存

RAM 大小:1K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 12x12b

振荡器类型:内部

工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装:24-QFN(4x4)

NXP(恩智浦)

数据手册

核心处理器:HCS12X

内核规格:16 位

速度:50MHz

连接能力:CANbus,EBI/EMI,I²C,IrDA,SCI,SPI

外设:LVD,POR,PWM,WDT

I/O 数:91

程序存储容量:1MB(1M x 8)

程序存储器类型:闪存

EEPROM 容量:4K x 8

RAM 大小:64K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.72V ~ 5.5V

数据转换器:A/D 16x12b

振荡器类型:外部

工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:112-LQFP

供应商器件封装:112-LQFP(20x20)

0
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